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DRAM 單元只是一個存儲電容器和訪問晶體管。一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1/2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1/2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
低、中、高容量DRAM
溫度范圍
-40℃~125℃
車規級產品
PSC 25nm技術
大部分產品
支持ECC
廣州立功科技股份有限公司成立于1999年，面向工業、汽車電子用戶提供芯片和智能物聯解決方案，為客戶提供從選型評估、開發設計、測試認證到量產防偽，貫穿產品全生命周期的專業技術與服務。ZLG立功科技在國內設有22個銷售機構、2個技術研發中心，為客戶和供應商提供價值。
RFID芯片
