關(guān)鍵特性
高性能、高可靠,適用于數(shù)據(jù)庫、虛擬化
提供全高半長和半高半長尺寸,600GB~3.2TB多種容量;
采用19/20 nm NAND Flash,提供穩(wěn)定的770K讀IOPS和230K寫IOPS;
內(nèi)嵌ECC、動態(tài)RAID5引擎,確保數(shù)據(jù)的高可靠性;
動態(tài)RAID算法實現(xiàn)通道間的資源共享,避免因通道失效導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失;
冷熱數(shù)據(jù)分類與管理,配合*的磨損算法提升使用壽命;
超大保護(hù)電容,確保在異常掉電情況下所有數(shù)據(jù)均能可靠的寫入。
技術(shù)規(guī)格
ES3000 V2 型號 | 600 | 800 | 1200 | 1600 | 1200H | 2400H | 3200H |
可用容量 | 600 GB | 800 GB | 1,200 GB | 1,600 GB | 1,200 GB | 2,400 GB | 3,200 GB |
讀帶寬 (GB/s) | 1.55 | 1.55 | 1.55 | 1.55 | 3.1 | 3.1 | 3.1 |
穩(wěn)定讀IOPS (4KB) | 390,000 | 390,000 | 395,000 | 395,000 | 770,000 | 770,000 | 770,000 |
寫帶寬 (GB/s) | 0.73 | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.46 | 2.05 | 2.2 |
寫IOPS (4KB) | 180,000 | 225,000 | 240,000 | 270,000 | 360,000 | 480,000 | 540,000 |
穩(wěn)定寫IOPS (4KB) | 75,000 | 90,000 | 110,000 | 115,000 | 150,000 | 220,000 | 230,000 |
功耗 | 12~21 W | 12~25 W | 12~23 W | 12~25 W | 25~42 W | 25~50 W | 25~55 W |
尺寸 | 半高半長 | 全高半長 |