特征描述
• 更低的 VCEsat 壓降可以降低導通損耗
• 低開關損耗
• 由于 VCEsat呈現正溫度系數特性,因此易于進行器件的并聯應用
• 非常軟且快速恢復的反并聯發射極控制二極管
• 具有高魯棒性、溫度穩定的特性
• 低電磁干擾輻射
• 低柵極電荷
• 非常緊密的參數分布
優勢
• 高效率 - 得益于低導通和低開關損耗
• 600 V 和 1200 V 的全面產品組合可實現設計靈活性
• 器件可靠性高
應用領域
• 不間斷電源(UPS)
• 電機控制和驅動
• 工業加熱和焊接
• 太陽能系統解決方案
型號: | IKW50N60T |
封裝: | TO-247 |
制造商: | Infineon |
產品種類: | IGBT晶體管 |
RoHS: | 是 |
封裝/箱體: | TO-247-3 |
安裝風格: | Through Hole |
配置: | Single |
集電極—發射極電壓VCEO: | 600 V |
集電極—射極飽和電壓: | 1.5 V |
柵極/發射極電壓: | 20 V |
在25 C的連續集電極電流: | 80 A |
Pd-功率耗散: | 333 W |
工作溫度: | - 40 C + 175 C |
系列: | TRENCHSTOP IGBT |
集電極連續電流Ic: | 80 A |
高度: | 20.9 mm |
長度: | 15.9 mm |
寬度: | 5.03 mm |
柵極—射極漏泄電流: | 100 nA |