Hprobe 測試儀是磁場下晶圓級表征及測試的工具。它采用自主研發(fā)的3D磁場發(fā)生器和*的、可定制的、商業(yè)化硬件,為傳感器到MRAM等磁性器件,提供完整的測試解決方案,該工具符合晶圓自動化測試的標準。
主要特點
- 大范圍面內和垂直場
- 磁場三維可控
- 旋轉磁場
- 嵌入式傳感器校準 ( Hall 傳感器 )
- 自動化測試程序
- MRAM 參數提取軟件
- 100mm~300mm 晶圓可測
- 兼容標準探針卡
技術說明
磁性3D發(fā)生器
Hprobe 測試儀采用自主研發(fā)的3D磁場發(fā)生器,其中每個磁場的空間軸都是獨立驅動。通過控制3個軸的磁場,用戶可實現任意方向磁場,同時 也可產生旋轉磁場。發(fā)生器提供所有的控制儀器、控制程序和校準工具。
3D磁性發(fā)生器位于探測器上,在晶圓上生成局部磁場,探針位于磁場發(fā)生器與晶圓之間。發(fā) 生器和探測器卡盤之間的標準z軸間距為 1mm,500µm 到 5mm 內可調。
校準
測試儀并沒有為所有可能的磁性配置提供詳盡的標準數據表。但用戶能夠自定義額外定制磁場類型,校準相應的線圈電流以產生需要的場類型。
校準包括:
§ 將理論磁場應用于待測器件
§ 沿三軸測量感興趣區(qū)域內的磁場測量數據用于補償和調整在晶圓測試期間施加的磁場。
校準測量用嵌入在探測器內的3D霍爾傳感器完成。
3D 校準傳感器特征
§ 角精度高
§ 靈敏度5V /特斯拉
§ 測量范圍2特斯拉
§ 差分輸出
§ 溫度靈敏度:<100 ppm/°
§ 在探頭上集成溫度傳感器用于溫度補償
晶圓探測器
Hprobe 測試儀是由工業(yè)標準的晶圓探測器構成,囊括100mm手動探測器至300mm全自動,適于生產的探測器。探測器通常包括:
§ 溫控卡盤(熱/冷)
§ 探針卡定位可視化操作
§ 晶圓裝填器
§ 單一晶圓承載器
§ 嵌入式校準傳感器
§ 破碎晶圓承載器(可選)
其他特定的HW/SW探針選項可根據客戶要求 定制。
探測器控制是通過我們的測試程序驅動的,針對探測器功能提供*的用戶訪問權限。
Hprobe測試儀提供全套儀器來驅動和測量大多數磁性器件,比如 MRAM(STT,SOT,電壓控制),傳感器(AMR,GMR,TMR)和磁性MEMS。
源測量單元 (S M U )
§ 最小測量范圍 20mV
§ 最小量程 1nA
§ > 3,000 讀數/秒
§ 白噪聲 2mV rms
數字萬用表( DM M )
§ 18位,最小測量范圍 100mV
§ 分辨率 10nV
§ 最小記錄時間 1µs
任意波形發(fā)生器( AW G )
§ 雙通道,帶寬 40MHz
§ 正弦波,方波與脈沖高達 30MHz
§ 斜率 & 三角波達 200kHz
§ 每個通道的任意波形 < 1Msample
§ 采樣率 250Msample/秒
脈沖發(fā)生器
§ 最小脈沖寬度 300 ps
§ 脈寬精度 10 ps
§ 上升/下降時間 < 70 ps (20%-80%)
§ 輸出幅度 10 mVpp~5 Vpp
§ 重復率 500 MHz/每通 道
§ 觸發(fā)到輸出晃動 < 35ps RMS
探針
Hprobe測試儀易拓展,用戶可使用工業(yè)用探針,也可以使用裝有DC和RF探針的顯微操縱器。的限制是磁場發(fā)生器和晶片之間的間隔在高磁場下必須保持盡可能的(<1mm)。
測試程序
測試程序包括用于滿足用戶需求的所有功能,從材料表征到產品開發(fā),到生產轉化。它以三種模式運行:
§ 校準 - 設置磁場的配置和創(chuàng)建用戶定義模式 (見下圖)
§ 工程 - 運行預先實施的測試模式或創(chuàng)建并運行完整的自定義特性描述和測試程序。
§ 生產 - 從工程模式中利用優(yōu)化時間來設置測試程序。
預先實施的測試模式包括(有或者無磁場):
§ 開放/短期測試
§ 交流/直流 電流-電壓,R-V 測試
§ 交流/直流擊穿電壓測試
§ 讀/寫脈沖測試
§ 隧道磁阻
§ 誤碼率
§ 器件循環(huán)測試
§ (I,V,H)相圖
生產廠家:法國 Hprobe