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主要特點:
高分辨觀察
利用金顆粒保證0.144nm分辨率DF-STEM像（標準型）。
大束流分析
約為非校正的STEM探針電流的10倍，可以進行高速、高靈敏度能譜分析，可以在更短的時間內獲得元素的面分布圖，使得檢測微量元素成為可能。
簡化的操作
提供了專用的GUI自動調節球差校正器
整體的解決方案
樣品桿與日立FIB兼容，提供了納米尺度的整體解決方案，從制樣到數據獲得和最終分析
多種評價和分析功能可選
可同時獲得和顯示SE&BF、SE&DF、BF&DF、DF/EDX和DF/EELS像；可以配備ELV-2000型實時元素Mapping系統(DF-STEM像可以同時獲得)；可以同時觀察DF-STEM像和衍射像；可以配備超微柱頭樣品桿進行三維分析(360度旋轉)等。
| 項目 | 主要參數 |
| 電子槍 | 冷場或熱場發射電子槍 |
| 加速電壓 | 200kV、120kV* |
|
線分辨率 | 0.144nm（標準型，配有球差、冷場或熱場） |
| 0.136nm（高分辨型，配有球差、冷場） | |
| 0.204nm（標準型，配有熱場，無球差） | |
| 放大倍率 | 200x - 10,000,000x |
| 圖像模式 | BF-STEM相襯度像(TE像)、DF-STEM原子序數襯度像(ZC像)、二次電子像(SE像)、電子衍射花樣(可選)、特征X射線像(可選：EDX)、EELS像(可選：ELV-2000) |
| 電子光學 | 電子槍：冷場或熱場發射電子槍，內置陽極加熱器 透鏡系統：兩級聚光鏡、物鏡、投影鏡 球差校正器：六極/傳輸 雙重（標準型和高分辨型） 掃描線圈：兩級電磁線圈 電位移：±1μm |
| 樣品桿 | 側插式，X=Y=±1mm，Z=±0.4mm ，T=±30°(單傾樣品桿) |
應用領域:
HD-2700作為一款場發射球差校正的掃描透射電鏡，不僅具有高分辨率的圖像觀察能力，同樣具有高空間分辨率的分析能力，配合EELS和EDS可以實現原子級元素的分析。HD-2700具有多種成像模式，可以滿足大部分樣品的觀察需求，其中日立*的SE成像模式可以獲得透射電鏡無法獲得的樣品表面的信息，同時又比普通掃描電鏡具有更高的分辨率，可以實現對樣品表面的高分辨觀察。
應用文章：
[1] Ciston1, J., Brown2, H. G., D`Alfonso2, A. J., Koirala3, P., Ophus1, C., Lin3, Y., Suzuki4, Y., Inada5, H., Zhu6, Y. & Marks3, L. D. Surface determination through atomically resolved secondary electron imaging.Nature Communications,2005,6, 7358-7365.
[2] Zhu1*, Y., Inada2, H., Nakamura2, K. & Wall1, J. Imaging single atoms using secondary electrons with an aberration-corrected electron microscope.Nature Materials,2009,8, 808-812.
