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高精度源表IV掃描場效應(yīng)MOS管電特性

參考價	￥ 1000
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號S300B
所在地武漢市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2023/9/21 13:43:51
訪問次數(shù)286

產(chǎn)品標簽:

源測單元場效應(yīng)管電特性測試 IV曲線測試掃描國產(chǎn)源測單元數(shù)字源表電流模塊

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公司介紹主營產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司，一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售，致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢，公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表，以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實訓(xùn)平臺等應(yīng)用；為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案，同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野，推出的產(chǎn)品已被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認可和應(yīng)用，是為數(shù)不多進入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來，公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨，朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的嶺跑者邁進。

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數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡介在線詢價

MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、 IDSS，擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。高精度源表IV掃描場效應(yīng)MOS管電特性認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表

高精度源表IV掃描場效應(yīng)MOS管電特性產(chǎn)品信息

受器件結(jié)構(gòu)本身的影響,在實驗室科研工作者或者測試工程師常見會碰到以下測試難題:

（1）由于MOSFET是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試，而且MOSFET動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，測量模塊的量程需要可以自動切換；

（2）柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大，漏電增加到一定程度即可構(gòu)成擊穿，導(dǎo)致器件失效，因此MOSFET 的漏電流越小越好，需要高精度的設(shè)備進行測試；

（3）隨著MOSFET特征尺寸越來越小，功率越來越大，自加熱效應(yīng)成為影響其可靠性的重要因素，而脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，利用脈沖模式進行MOSFET的I-V測試可以準確評估、表征其特性；

（4）MOSFET的電容測試非常重要，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。不同頻率下C-V曲線不同，需要進行多頻率、多電壓下的C-V測試，表征MOSFET的電容特性。

使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。

場效應(yīng)管MOS電特性測試SMU源表輸入/輸出特性測試

MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測得一條IDs~VGs關(guān)系曲線,對應(yīng)一組階梯漏源電壓可測得一簇直流輸入特性曲線。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS 關(guān)系即為直流輸出特性，對應(yīng)一組階梯柵源電壓可測得一簇輸出特性曲線。根據(jù)應(yīng)用場景的不同，MOSFET器件的功率規(guī)格也不一致。針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。

高精度源表IV掃描場效應(yīng)MOS管電特性

針對Z大電流為1A~10A的MOSFET功率器件，推薦采用2臺P系列脈沖源表搭建測試方案，其Z大電壓300V，Z大電流10A。

針對Z大電流為10A~100A的MOSFET功率器件，推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測試方案，Z大電流高達100A。

閾值電壓VGS（th)

VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開始有電流的VG S 值;測試儀表推薦S系列源表。

漏電流測試

GSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下流過柵極的漏電流；IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當(dāng) VGS=0時，在只定的VDS下的DS之間漏電流，測試時推薦使用一臺普賽斯S系列或P系列源表；

耐壓測試

VDSS(漏源擊穿電壓)：是指在VGS=0的條件下，增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS值；根據(jù)器件的規(guī)格不同，其耐壓指標也不一致，測試所需的儀表也不同，擊穿電壓在300V以下推薦使用S 系列臺式源表或P系列脈沖源表，其Z大電壓300V，擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列，Z大電壓3500V。

C-V測試

C-V測量常用于定期監(jiān)控集成電路的制造工藝，通過測量MOS電容高頻和低頻時的C-V曲線，可以得到柵氧化層厚度tox、氧化層電荷和界面態(tài)密度Dit、平帶電壓Vfb、硅襯底中的摻雜濃度等參數(shù)。分別測試Ciss(輸入電容)、Coss(輸出電容)以及Crss(反向傳輸電容)。

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