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介質損耗因數測定儀符合標準：
GB/T1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質損耗因數的推薦方法；
GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數和介質損耗角正切值的測定方法；
ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數）的標準試驗方法；
GBT5594.4-2015電子元器件結構陶瓷材料性能測試方法；
介質損耗因數測定儀—介質損耗因數試驗淺析
介質損耗因數試驗是判斷電氣設備絕緣性能較為有效的方法，能直接、明顯地反映出絕緣的整體受潮、劣化變質 等分布性缺陷。因此，在電氣設備（如電力變壓器、高壓開關、互感器、套管、耦合電容等）交接和例行試驗中，介質損 耗因素試驗已得到廣泛的應用。本文較為系統地闡述了介質損耗因數的定義、試驗等值電路及向量圖、試驗目的、測量儀 器及影響試驗結果的因素。
關鍵詞 介質損耗因數 電氣試驗 西林電橋
1 介質損耗因數的基本概念
1.1 電介質損耗的組成
電介質損耗由以下三部分組成：
1. 電導損耗。當給電介質施加交流電壓時，電介質中 會有電導電流流過，電介質因此而發熱產生損耗，通常這 部分電流都很小。
2. 游離損耗。電介質中局部電場集中處（如固體電介 質中的氣泡，氣體電介質中電極的尖等），當電場強度 高于某一值時，介質局部就會產生放電，同時伴隨能量損耗。
3. 極化損耗。由于介質結構的不均勻，在交流電場作 用下，使不均勻介質邊界面上的電荷，時而積聚，時而消失， 電荷積聚和消失都要通過介質內部，這樣就造成了一定的 能量損耗。
1.2 介質損耗因數的定義
與介質損耗不同的是，介質損耗因數tanδ 只與材料的性質有關，而與材料的尺寸已經體積大小等外部因素無關， 這樣可以便于不同設備之間進行比較。
1.3 介質損耗的等值電路及相量圖
根據絕緣介質在交流電壓作用下的等值電路及相量圖， 可推導出介質損耗各物理量之間的關系。
如下圖 1 所示，當對絕緣介質施加交流電壓時，介質上將流過電容電流 IC1、吸收電流 I2 和電導電流 IR1。其中又可以將吸收電流 I2 分解成有功分量 IR2 和無功分量 IC2 兩 部分。電容電流 IC1 和 IC2 是不消耗能量的，只有電導電流 IR1 和吸收電流中的有功分量 IR2 才消耗能量。
介質的功率損耗：
式 中： U—— 電源電壓 ω—— 電源角頻 tanδ
C——介質的電容 R——介質的電阻 tanδ——角的余角的正切
由上面的式子可知，介質損耗與電源電壓的平方 U2 、 角頻率 ω、電容 C 以及 δ 角的正切值 tanδ 成正比。當電 壓 U、角頻率 ω 及電容 C 一定時，介質損耗和 tanδ 成正比。
將 δ 角定義為介質損耗角，tanδ 即為介質損耗角正切值，定義 tanδ 為介質損耗因數。
1.4 介質損耗因數試驗目的
1. 能較為靈敏地發現中小型電容量電氣設備的絕緣整 體受潮、老化、油質劣化和局部缺陷。
2. 能非常靈敏地發現絕緣油質量的優劣。
3. 對容量較大的電氣設備，若絕緣缺陷占據的體積只 占總體積的一小部分，則測量介質損耗因數較難發現設備 存在的絕緣缺陷。所以我們在測量大型變壓器整體的介質 損耗因數之后，還應再測量其電容型套管的介質損耗因數， 原因后面會具體解釋。
2 測量介質損耗因數的儀器
測量介質損耗因數常用的儀器有西林電橋、M 型介質 試驗器、電流比較型電橋三類，本文主要介紹第一類和第三類。
2.1 西林電橋
西林電橋是 80 年代以前廣泛使用的現場介損測試儀器， 它有兩種接線方式，正接線和反接線。
2.1.1 正接線
試品兩極對地均絕緣，此方法在日常試驗中經常使用， 如對電容型套管、耦合電容器、電容式互感器等電氣設備 均采用正接線方式測量 tanδ。正接線使用時，電橋處于低 電位，測量結果比反接線方法正確，電橋三根導線（出線） 處于低電位。在被試品具有足夠絕緣水平時，允許施加大 于 10kV 的電壓作為試驗電壓，但必須使用與額定電壓相適 應的標準電容器。
2.1.2 反接線
多數高壓電氣設備外殼都是直接地的，對于一極接地的電氣設備應采用反接線方式測量 tanδ。反接線使用時， 電橋和出線均處于高電位，對地應保持一定的安全距離， 最少不應低于 10cm。電橋面板上的接地端子必須牢固接地。
由于西林電橋使用比較麻煩，且抗干擾能力差，因此目 前電氣試驗工作已不再將西林電橋作為測量 tanδ 的儀器。
2.2 相位差法抗干擾全自動介損測試儀
相位差法介損儀是攜帶型西林電橋的更新換代產品。 把標準電容器和升壓變壓器組合在一起，稱為一體化。此 種介損儀采用現代微電子技術以提高測量精度和自動顯示， 采用紅外技術和光纖傳遞以提高抗干擾能力，如 AI-6000 型自動抗干擾精密介質損耗測量儀。與西林電橋相比，相 位差法介損儀具有操作簡單、自動測量、無須換算、精度高、 抗干擾能力強等優點，儀器內部附有標準電容器及升壓裝 置，便于攜帶。
3 影響介質損耗因數測量結果的因素
介質損耗因素不僅受到設備缺陷和電磁場干擾的影響， 還受到溫度、試驗電壓、試品電容的影響。
3.1 溫度的影響
溫度對 tanδ 測量的影響較大，絕大多數情況下，同一 種被試品的 tanδ 隨著溫度的升高而增大。但由于不同絕緣 介質或不同潮濕程度有著不同的隨溫度變化的規律，一般 無法將某一溫度下測得的介質損耗因數值準確換算至另一 溫度下的數值，在 20℃至 80℃之間，tanδ 隨著溫度而變 化的經驗公式為 tanδ=tanδ0e α（t-t0），但這種溫度換算方法 所得的數據也只是近似的。最好在 10℃至 30℃范圍內并與 歷史試驗測量時相近的溫度下對設備進行 tanδ 測量。
3.2 試驗電壓的影響
對絕緣良好的設備而言，在一定試驗電壓范圍內，流 過絕緣介質的電流有功和無功分量隨著電壓的增加成比例 增加，因此介質損耗因數不會有明顯變化。但對于絕緣有 缺陷的設備來說，當電壓上升到介質的局部放電起始電壓 以上時，介質中夾雜氣泡或雜質的部分電場可能很強，會 首先放電，產生附加損耗，使測得的介質損耗因數值增加。 因此在較高電壓下測量 tanδ，可以較為真實地反映出設備的絕緣狀況，便于及時準確地發現設備絕緣存在的缺陷。
3.3 tanδ 與試品電容的關系
對于如套管、電壓互感器、電流互感器等電容量比較 小的設備，測量其介質損耗因數可以有效發現其存在的局 部集中性缺陷和整體分布性缺陷。但若集中性缺陷的體積 所占被試設備絕緣體積的比重很小，如大、中型變壓器等 大體積設備的局部缺陷，其引起的損耗只占總損耗中的極 小部分，則測量其介質損耗因數不能靈敏的反映絕緣缺陷， 應盡量進行分解試驗。下面通過公式來解釋這一現象。設 備絕緣由多種材料、多種部件構成，可以看作是由許多并 聯等值回路組成。
從上式分析，不難看出電容量對介質損耗因數的影響。 在測量多材料、多結構、多層絕緣介質的絕緣性能時，當 其中某一種或某一層的絕緣介質損耗因數偏大時，并不能有效地在總介質損耗因數值中反映出來，或者說介質損耗因數對反映絕緣的局部缺陷不靈敏。
