智能制造網APP
智能制造網手機站
智能制造網小程序
智能制造網官微
智能制造網服務號
詳細內容
■ 常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）
———常溫型近紅外探測器，波長范圍：0.8-1.7μm
三種常溫型銦鎵砷探測器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外觀設計，其中：
◆ DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs探測元件（光譜響應度曲線參考圖1）
◆ DInGaAs1650型內裝國產大面積InGaAs探測元件（光譜響應度曲線參考圖2）
◆ DInGaAs1700型內裝進口大面積InGaAs探測元件（光譜響應度曲線參考圖3）
型號列表及主要技術指標：
| 參 數 | 測試條件 | DInGaAs1600 | 測試條件 | DInGaAs1650 | 測試條件 | DInGaAs1700 | ||||||
| *小值 | 典型值 | 值 | *小值 | 典型值 | 值 | *小值 | 典型值 | 值 | ||||
| 光敏面直徑（mm） | | 1.5 | | 5 | | 5 | ||||||
| 光譜響應 | | 900-1600 | | 800-1650 | | 800-1700 | ||||||
| 范圍（nm） | ||||||||||||
| 響應度Re（A/W） | | | | | | | | | @850nm | 0.1 | 0.2 | |
| VR=0V @1300nm | 0.8 | 0.85 | - | VR=10mV @1310nm | - | 0.75 | - | @1300nm | 0.8 | 0.9 | | |
| VR=0V | 0.85 | 0.9 | - | VR=10mV @1550nm | - | 0.8 | - | 峰值@1550nm | | 0.95 | | |
| @1550nm | ||||||||||||
| 暗電流Io（nA） | VR=0V | | 0.1 | 1 | | | 10 | | VR=0V | | 5 | 10 |
| NEP （pW Hz-1/2） | | | | | | | | | @1550nm | 0.28 | | |
| 信號輸出 模式 | | 電流 | | 電流 | | 電流 | ||||||
| 輸出信號 極性 | | 正（P） | | 正（P） | | 正（P） | ||||||
■ TE制冷型銦鎵砷探測器（InGaAs）
——TE制冷型近紅外探測器，波長范圍：0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE制冷銦鎵砷探測元件，光譜響應曲線參考圖如下：
——TE制冷型近紅外探測器，波長范圍：0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設計，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進口二級TE制冷銦鎵砷探測元件，光譜響應曲線參考圖如下：
型號列表及主要技術指標：
| 型號/參數 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
| 光敏面直徑（mm） | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 波長范圍（nm） | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
| 峰值響應度（A/W） | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
| D*（典型值） | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
| NEP（典型值） | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
| 溫控器型號 | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
| 探測器溫度（℃） | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
| 溫度穩定度（℃） | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
| 環境溫度（℃） | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
| 信號輸出模式 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 | 電流 |
| 輸出信號極性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
| 備注 | 制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC） 推薦使用前置放大器型號：ZPA-7 | ||||
銦鎵砷探測器使用建議：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZPA-7（Page85）做為前級放大并轉換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數據采集系統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數據采集系統（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測，在制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控制；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZPA-7（Page85）做為前級放大并轉換為電壓信號；標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS103數據采集系統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測器配合DCS300PA數據采集系統（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測，在制冷模式時須使用溫控器（型號：ZTC）進行降溫控制；
