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型號：HBPR-450M-10K-IN-FS，HBPR-500M-10K-IN-FC，HBPR-500M-10K-SI-FST，HBPR-500M-10K-SI-FS，HBPR-500M-10K-SI-FC，
HBPR-200M-30K-IN-FST，HBPR-200M-30K-IN-FS，HBPR-200M-30K-IN-FC，HBPR-200M-30K-SI-FST，HBPR-200M-30K-SI-FS，HBPR-200M-30K-SI-FC，
HBPR-100M-60K-IN-FST，HBPR-100M-60K-IN-FS，HBPR-100M-60K-IN-FC，HBPR-100M-60K-SI-FST，HBPR-100M-60K-SI-FS，HBPR-100M-60K-SI-FC
特征
- 帶寬高達 500MHz
- 噪聲抑制（CMRR 共模噪聲）高達 55 dB
- 噪聲低，NEP 高達 3.7 pW/√Hz
- Si 和 InGaAs 型號，光譜范圍為 320 至 1700 nm
- 可切換的 20MHz 低通濾波器可大限度地減少寬帶噪聲
- 高達 60,000 V/A 的高增益，可分兩切換
- 輸出信號的可切換耦合（AC/DC）
- 具有 10 MHz 帶寬的快速直流耦合監視器輸出
- 輸入自由光束或光纖耦合
- 1.035"-40自由射流輸入螺紋，兼容多種標準光學系統
采集從 DC 到 500 MHZ 的小光差分信號
通過精確形成兩個輸入信號之間的差異，可以抑制共模噪聲，例如所用激光源的強度噪聲。以這種方式，可以從信號測量路徑中提取否則會在噪聲水平中丟失的小光信號。
HBPR 系列的光接收器/光電探測器由兩個反并聯連接的光電二管和一個后續的低噪聲跨阻放大器組合而成。光電二管經過仔細選擇并成對匹配，以實現盡可能高的共模噪聲抑制 (CMRR)。低輸入噪聲 (NEP) 和高的共模抑制為
MHz 范圍內的對稱（平衡）光接收器設定了標準，并實現了高靈敏度信號采集。高帶寬允許精確檢測激光脈沖，即使具有高重復率和快速變化的信號形式，例如在量子態層析成像中。
由于可切換的帶寬限制（低通濾波器）、獨立的快速監控輸出、可調偏置和可切換的 AC/DC 耦合等附加功能，
HBPR 系列的光接收器是通用的對稱光接收器。
兼容光學平臺（自由光束）和光纖
自由射流輸入設計為帶螺紋耦合環的 1.035"-40 螺紋法蘭 (FST) 或無螺紋的 25 mm 圓形法蘭 (FS)。這兩種類型都與來自不同制造商的光學配件廣泛兼容，例如例如透鏡、管、籠式系統、光學適配器等
。相對大面積的檢測器有助于自由光束應用中的光學聚焦，并在使用可選的光纖適配器時確保高度穩定的耦合。
帶有 Ø 0.8 mm 光電探測器的 FST 自由輻射 SI 型號可以很容易地轉換為光纖連接（FC、FSMA），由于探測器面積大，只需擰上 PRA 系列可選的光纖適配器即可，沒有任何明顯的耦合損耗. 僅有條件地建議將光纖適配器用于具有較小檢測器表面的模型，例如
Ø 0.4 / 0.3 mm，因為可能會發生耦合損耗和不穩定性。當重點放在高精度光纖測量上時，使用具有固定光纖 FC 光纖輸入的 FC 模型通常會提供佳結果。
所有 HBPR 光電接收器均配備 UNC 8-32 和 M4 螺紋孔，因此可以輕松穩定地集成到標準桿架上的光學系統中。
應用程序（不包括桿座）
- 光譜學
- 相干外差檢測
- 光量子態的零差檢測
- 光學相干斷層掃描 (OCT)
- 干涉測量
- 光學延遲測量
- 用于示波器、頻譜分析儀、A/D 轉換器和鎖定放大器的差分光學端
光譜范圍為 320 至 1000 nm 的型號：
| 模型 | HBPR-100M-60K-SI-FST HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-100M-60K-SI-FC | HBPR-200M-30K-SI-FST | HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FC |
| 硅PIN光電二管 | 0.8mm直徑 | 0.8mm直徑 | 0.4 mm Ø， |
| 光譜范圍 | 320 - 1000納米 | 320 - 1000納米 | 320 - 1000納米 |
| 帶寬 (−3dB) | 直流 - 100MHz | 直流 - 200MHz | 直流 - 500MHz |
| 跨阻增益（可切換） | 2.0x10 4V / A | 1.0x10 4V / A | 5.0x10 3V / A 10.0x10 |
| 轉換增益 | 10.8 x 10 3 V/W 典型值。 32.4 x 10 3 V/W 典型值。 （@ 850 納米） | 5.4 x 10 3 V/W 典型值。 16.2 x 10 3 V/W 典型值。 （@ 850 納米） | 2.55 x 10 3 V/W 典型值。 5.1 x 10 3 V/W 典型值。 （@ 760 納米） |
| 低NEP | ≤ 6.5 pW/√Hz（@850 納米） | ≤ 7.8 pW/√Hz（@850 納米） | ≤ 12 pW/√Hz（@760 納米） |
| 新經濟政策 (@ 20MHz) | ≤ 7.4 pW/√Hz（@850 納米） | ≤ 8.8 pW/√Hz（@850 納米） | ≤ 13 pW/√Hz（@760 納米） |
| 共模抑制（典型值） | 50分貝 | 45分貝 | 40分貝 |
| 數據表 FS/FST 版本 | |||
| 數據表 FC 版本 |
光譜范圍為 800 至 1700 nm 的型號：
| 模型 | HBPR-100M-60K-IN-FST HBPR-100M-60K-IN-FS HBPR-100M-60K-IN-FC | HBPR-200M-30K-IN-FST HBPR-200M-30K-IN-FS HBPR-200M-30K-IN-FC | HBPR-450M-10K-IN-FST HBPR-450M-10K-IN-FS |
| InGaAs PIN光電二管 | 0.3 mm Ø（FS/FST 型號），80 µm Ø 球透鏡（FC 型號） | ||
| 光譜范圍 | 800 - 1700 nm（FS/FST 型號），900 - 1700 nm（FC 型號） | ||
| 帶寬 (−3dB) | 直流 - 100MHz | 直流 - 200MHz | 直流 - 450MHz (FS/FST) |
| 跨阻增益（可切換） | 2.0x10 4V / A | 1.0x10 4V / A | 5.0x10 3V / A |
| 1550 nm 處的轉換增益（可切換） | 19 x 10 3 V/W 典型值。 57 x 10 3 V/W 典型值。 | 9.5 x 10 3 V/W 典型值。 28.5 x 10 3 V/W 典型值。 | 4.75 x 10 3 V/W 典型值 |
| 小 NEP (@ 1550 nm) | ≤ 3.7pW/√Hz | ≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.1 pW/√Hz (FC) | ≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.7 pW/√Hz (FC) |
| NEP（@ 20MHz，1550nm） | ≤ 4.3 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.0 pW/√Hz (FC) | ≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.4 pW/√Hz (FC) | ≤ 6.9pW/√Hz |
| 共模抑制（典型值） | 50dB (FS/FST) 55分貝（FC） | 45dB (FS/FST) 50分貝（FC） | 35 分貝 (FS/FST) 45分貝（FC） |
| 數據表 FS/FST 版本 | |||
| 數據表 FC 版本 |
| ||
以下規格適用于所有 HBPR 型號：
| 大 CW 共模功率 | 每個光電二管 10 mW |
| 低通濾波器 | 全帶寬可切換至 20 MHz（上限頻率） |
| 高通濾波器（交流耦合） | 直流耦合可切換為交流（10 Hz 下限頻率） |
| 信號輸出電壓 | ±1.0V 到 50Ω 負載（用于線性增益和低諧波失真）， 大 ±2.0 V 至 50 Ω 負載 |
| 監控輸出 | 跨阻（增益）1000 V/A，帶寬 DC - 10 MHz， 輸出電壓 0 ... +10 V（@ ≥100 kΩ 負載） |
| 電源電壓/ | ±15V (±14.5V … ±16.5V) –90 / +120mA 典型值。 |
| 尺寸 | 80 x 80 x 30.5 毫米（長 x 寬 x 高） 重量 FC 型號 350 克（0.77 磅），重量 FS/FST 型號 410 克（0.9 磅） |
偏移量可通過電位器調節。輸出短路保護。電源電壓 ±15 V，通過 3 針 Lemo® 插座。包括一個匹配的連接器。可選配PS-15系列電源。有關更多詳細信息，請參見數據表。
