RS7N65F
產品描述
RS7N65F 是瑞森采用平面MOS技術制造的N-溝道場效應晶體管,通過優(yōu)化芯片結構,使該產品擁有較強的抗沖擊能力,同時具有較低的導通內阻和的柵極電荷,能較大地降低產品EMI和開關損耗。廣泛應用于開關電源,電源適配器、LED驅動等領域。
VDS =650V,ID =,7A
RDS(ON)<1.4mΩ@ VGS =10V
抗沖擊能力強
較低的導通電阻
通過UIS測試
產品優(yōu)勢:
新型的橫向變摻雜技術,專有的功率MOS結構,高溫特性優(yōu)良。
產品特性:
超小內阻,結電容適中,散熱性能好,高溫漏電小,高溫電壓跌落小。
產品應用:
LED驅動,小家電,適配器,工業(yè)開關電源等。