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沉積刻蝕多腔互聯系統
RIE&CVD Cluster System
● 高產能：等離子蝕刻和沉積腔體可與多達兩個片盒站組合，用于到 200 mm 晶片的高產量工藝。
● 研發：三到六個端口傳送腔室可用于集成 ICP 等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD 和 ICPECVD 沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可通過預真空室和/或真空片盒站加載。
● 高質量的多腔系統：ICP-RIE 等離子刻蝕腔體可與兩個片盒站組合用于 200mm 晶片的高產量并行工藝。
● ICP-RIE，RIE，PECVD 和 ICPECVD 等腔體可與預真空室，片盒站等組合使用，以滿足研發的特殊要求。
● SENTECH 多腔系統包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口。可使用多達兩個片盒站來增加產量。傳送腔室可配備多種選擇。
● 用于研發的 SENTECH 多腔系統通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業領域高產量的多腔系統。
