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高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

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公司名稱日立集團
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廠商性質其他
更新時間2024/7/17 19:48:52
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日立的企業宣言“Inspire the Next”代表著日立為社會奉獻，為新時代注入新活力的決心，以成為“解決方案合作商”為目標，為實現富有而便利的生活做出自己的貢獻。日立以集團愿景為行動方針，融合投入事業的極大熱情與專業能力，力爭在激烈的競爭環境中脫穎而出。

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產品簡介在線詢價

CG6300提供更高的解析度、測量再現性以及高畫質高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過電子光學系統的全新設計提高了解析度，并進一步提高了測量可重復性和圖像畫質。電子顯微鏡線圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實現BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過高對比度檢測Edge。還有新設計的芯片載臺與前型號相比每小時處理晶圓數量提高20％以上從而提高生產力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應對裝置的大規模生產，裝置間的機差抑制到了最小，從而實現了長期穩定運行。*1BEOL工藝（Back End Of Line）：半導體前端工藝中的配線形成工藝。*2Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設置孔的構造，洞深比高于從前。*3Cost of Ownership：設備?機器等安裝和運行管理所需的總費用。

高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）產品信息

高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

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高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）

CG6300提供更高的解析度、測量再現性以及高畫質

高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過電子光學系統的全新設計提高了解析度，并進一步提高了測量可重復性和圖像畫質。
電子顯微鏡線圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實現BEOL制程^*1的Via-in-trench^*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。
此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過高對比度檢測Edge。
還有新設計的芯片載臺與前型號相比每小時處理晶圓數量提高20％以上從而提高生產力，并降低用戶的Cost of Ownership*3。另外，為了應對裝置的大規模生產，裝置間的機差抑制到了最小，從而實現了長期穩定運行。

*1: BEOL工藝（Back End Of Line）：半導體前端工藝中的配線形成工藝。
*2: Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設置孔的構造，洞深比高于從前。
*3: Cost of Ownership：設備?機器等安裝和運行管理所需的總費用。

特長
規格

特長

高解析度能夠高精度測量7 nm generation devices
提高深槽·孔的尺寸測量和材料對比度的可視性
通過選擇性能強化二次電子和被背向散射電子信號來提高對比度成像
包括高速掃描在內的多種掃描方式取得減少帶電的清晰圖像
搭載新設計的高速芯片載臺搬送系統

規格

規格
晶圓尺寸	Φ300 mm （SEMI 標準規格 V notched wafer）
自動裝片	3 FOUP^*4 -compatible random access
電源	單相AC200V、208V、230V、12kVA（50/60Hz）