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可控硅靜態(tài)綜合測試設(shè)備

參考價 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號DBC-112
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2025/3/21 13:22:13
  • 訪問次數(shù)26
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西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等。

西安智盈電氣科技有限公司,是一家從事功率半導(dǎo)體測試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè),坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要有:參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等。


參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù),動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試 等);雪崩能力測試,老化及可靠性。 參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù);動態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測試等);老化及可靠性 二管及可控硅/晶閘管)參數(shù)測試設(shè)備: 靜態(tài)參數(shù)測試;動態(tài)參數(shù)測試 ;浪涌參數(shù)測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測試 產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等
DBC-112 可控硅靜態(tài)綜合測試設(shè)備針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備,電壓8500V、10000A(可擴(kuò)展),自動化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。
可控硅靜態(tài)綜合測試設(shè)備 產(chǎn)品信息

系統(tǒng)概述                                                                              

DBC-112 可控硅靜態(tài)綜合測試設(shè)備針對晶閘管的靜態(tài)參數(shù)而研發(fā)的智能測試設(shè)備,電壓8500V、10000A(可擴(kuò)展),自動化程度高,按照操作人員設(shè)定的程序自動工作。計算機(jī)記錄測試結(jié)果,測試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲,工作時序、開關(guān)的動作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由計算機(jī)和PLC共同完成。

測試方法靈活,可測試單個單元和多單元的模塊,系統(tǒng)安全穩(wěn)定,整體采用輪式機(jī)柜集成測試,具有簡潔的人機(jī)交互界面(計算機(jī))和良好的保護(hù)措施,操作簡單,移動方便等特點。

系統(tǒng)單元及參數(shù)條件DBC-112 可控硅靜態(tài)綜合測試設(shè)備

門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT

陽極電壓:12V陽極串聯(lián)電阻:6Ω

門極觸發(fā)電壓:0.3~5.00V ±3%±10mV  門極觸發(fā)電流:2~450mA ±3%±1 mA

維持電流測試單元IH

陽極電壓:12V

預(yù)導(dǎo)通電流:>10A,正弦衰減波  維持電流: 2~450mA  ±5%±1 mA

測試頻率:單次

通態(tài)壓降測試單元VTM

平板器件通態(tài)電流:0.10~10.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

模塊器件通態(tài)電流:0.10~2.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%

電流上升沿時間:≥5ms

通態(tài)壓降測試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%

測試頻率:單次

斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID

反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

阻斷電壓:0.20~8.50kV, 分辨率:0.01kV, 精度±0.1 kV±3%

模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV

正反向自動測試

正/反向漏電流:0.2~100 mA, 分辨率:0.1 mA, 精度±5%±1 mA

輸出保護(hù)電壓和電流可計算機(jī)設(shè)定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所  設(shè)定的范圍則自動保護(hù),測試頻率: 50HZ

斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt

電壓:1200V,1600V,2000V三檔, 1V,±5%  電壓過沖范圍:<50V±10%

DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs,1200V/μs±10%

阻斷參數(shù)測試單元

測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

擎住電流IL

100-1800mA

平板夾具壓力范圍

6-60KN,氣動加壓方式

門極電阻

5-50R

計算機(jī)控制系統(tǒng)

設(shè)備的所有工作程序,工作時序,開關(guān)的動作狀態(tài),數(shù)據(jù)的采集等均由計算機(jī)完成。工業(yè)控制機(jī),具有抗電磁干擾能力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點。







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