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IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備

參考價(jià)	￥ 9000
訂貨量	≥1套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱西安智盈電氣科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)ZY-DBC-102
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2025/3/21 13:19:24
訪問次數(shù)26

產(chǎn)品標(biāo)簽:

IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)IPM 參數(shù)測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

西安智盈電氣科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的技術(shù)企業(yè)，坐落于陜西省西安市西咸新區(qū)。核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備的研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要有：參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

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參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性。參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試等）；老化及可靠性二管及可控硅/晶閘管）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試；浪涌參數(shù)測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備試系統(tǒng)，選擇中心對(duì)準(zhǔn)SPWM波形作為IPM控制信號(hào)源，檢測(cè)IPM的開關(guān)特性參數(shù)以及電壓電流諧波特性，并對(duì)器件的故障信息給予判斷處理。

IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)品信息

系統(tǒng)概念

IPM（Intelligent Power Module）， IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備試系統(tǒng)即智能功率模塊，是混合集成功率器件，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起。而且還內(nèi)部集成有過電壓，過電流和過熱等故障檢測(cè)電路，并可將檢測(cè)信號(hào)送到CPU。該系統(tǒng)在解決了IPM 的控制信號(hào)源以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個(gè)關(guān)鍵技術(shù)的條件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)，選擇中心對(duì)準(zhǔn) SPWM 波形作為IPM控制信號(hào)源，檢測(cè)IPM 的開關(guān)特性參數(shù)以及電壓電流諧波特性，并對(duì)器件的故障信息給予判斷處理。

測(cè)試功能 IPM 參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備試系統(tǒng)

測(cè)試范圍	測(cè)試參數(shù)
IPM	BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, VEC, Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt, T_MEAS, V_MEAS
IGBT	ICES BVCES IGES VF VGEON VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)
DIODE	VF-Temp,Temp, VF revision

參數(shù)指標(biāo)

靜態(tài)參數(shù)	上橋參數(shù)	動(dòng)態(tài)參數(shù)
上橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試(Ices-H)	集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V
上橋IGBT/FRD耐壓測(cè)試(Bvce-H)	集電極電流/Ice： 10～75A/±3%/1A
上橋驅(qū)動(dòng)IC低端靜態(tài)電流測(cè)試(IDH)	VD=VBS=15V/±3%/0.1V
上橋驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)工作電流測(cè)試（Iqbs-U V W）	VIN=0～5V/±3%/0.1V
上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVbsd-U V W）	ton-L : 10～500nS/±3%/1nS
上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W）	tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS
上橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓測(cè)試（Vth（on）-UH VH WH）	toff-L: 50～500nS/±3%/1nS
上橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓測(cè)試（Vth（off）-UH VH WH）	tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS
上橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UH VH WH）	Trr-L :10～500nS/±3%/1nS
上橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UH VH WH)	Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
	Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
下橋IGBT/FRD漏電流測(cè)試（Ices-L）	下橋參數(shù)	集電極電壓/Vce:100～1200V/±3%/10V
下橋驅(qū)動(dòng)IC靜態(tài)工作電流測(cè)試（IDL）	集電極電流/Ice:10～75A/±3%/1A
故障輸出電壓測(cè)試（Vfoh Vfol）	VD=VBS=15V/±3%/0.1V
過流保護(hù)閾值電壓測(cè)試（Vcin（ref））	VIN=0～5V/±3%/0.1V
下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測(cè)電平（UVdd）VD=VBS=15V	on-L : 10～500nS/±3%/1nS
下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVdr）	tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS
下橋驅(qū)動(dòng)IC導(dǎo)通閾值電壓（Vth（on）-UL VL WL）	toff-L: 50～500nS/±3%/1nS
下橋驅(qū)動(dòng)IC關(guān)斷閾值電壓（Vth（off）-UL VL WL）	tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS
下橋IGBT飽和電壓測(cè)試（Vce(sat)-UL VL WL）	Trr-L :10～500nS/±3%/1nS
下橋FRD正向壓降測(cè)試（VF-(UL VL WL)	Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ
	Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ