內置40V耐壓雙MOS：PMOS：68mΩ

低端NMOS：24mΩ

支持3.2A持續輸出，1占空比（低壓差直通）

精準控制

恒壓(CV)：±3%精度，輸出2.5V-34V（通過FB分壓電阻調節：VOUT=2.5V×(1+R1/R2)）

恒流(CC)：±8%精度，電流采樣（無外置電阻損耗）

控制模式：電流模式，動態響應快

工作架構

固定開關頻率170kHz（低EMI，支持外部時鐘同步）

輕載自動切換二極管仿真模式（12V@2A效率>90%）

關鍵設計

散熱方案：

芯片底部散熱焊盤直連SW引腳

PCB要求：≥6個φ0.3mm過孔（填充焊錫）至地平面，銅箔≥20mm×20mm

EMI抑制：

SW引腳緊湊布線，并聯RC緩沖（100Ω+1nF）

保護功能：

短路保護（SCP）：打嗝模式（周期重啟）

過熱保護（OTP）：150℃關斷→130℃恢復

欠壓保護（UVLO）：<4.5V關閉產品特征

內置40V MOS

輸入范圍4.5V-38V

可支持3.2A持續輸出電流

可支持占空比

輸出電壓電流可設(2.5V-34V)

恒流精度 士8%

恒壓精度 士3%

170KHz固定開關頻率

1. 效率優化

同步整流優勢：內置24mΩ NMOS，輕載時自動切至二極管仿真模式，效率＞90%（12V@2A）。

熱管理：

芯片底部散熱焊盤需通過多過孔連接至PCB地平面（至少6個φ0.3mm過孔）。

銅箔面積≥20mm×20mm，必要時添加散熱片。

2. 保護功能實現

短路保護（SCP）：

觸發條件：輸出持續短路時，芯片進入打嗝模式（周期重啟）。

恢復條件：故障解除后自動恢復。

過熱保護（OTP）：

結溫＞150℃時關斷輸出，降溫至130℃后恢復。

3. EMI抑制措施

開關節點（SW）：

使用緊湊的鋪銅區域，避免長走線。

在SW與地之間并聯RC緩沖電路（如100Ω+1nF），降低電壓尖峰。

頻率同步（可選）：若系統需多路電源，可通過外部時鐘同步170kHz開關頻率。

短路保護(SCP)，過熱保護(OTP)，欠壓

保護(UVLO)

電流檢測輸入端采樣

輸入端采樣相對輸出端采樣，重載時電流

檢測電阻功耗更低，整體效率更高;

車載充電器：兼容12V/24V電池系統，支持QC3.0快充（需外接識別芯片）

LED照明驅動：恒流精度±8%，適配3-36V燈帶

便攜設備電源：寬輸入電壓（4.5V-38V），輸出可調至5V/9V/12V

電池充電管理：CC/CV特性適配鋰電/鉛酸充電

設計優勢：

無需外置電流檢測電阻，降低功耗

ESOP-8封裝集成散熱焊盤，簡化PCB熱管理

170kHz開關頻率天然抑制低頻噪聲

EN使能引腳支持休眠模式（靜態電流<1μA）