半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備是晶圓制造、光罩清潔及封裝工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，通過化學(xué)腐蝕、物理沖洗與干燥技術(shù)，去除晶圓表面的顆粒、金屬殘留、有機物及氧化層等污染物，確保芯片良率與性能。其清洗效果直接影響后續(xù)制程（如光刻、刻蝕、CMP等）的可靠性，尤其在制程（如5nm以下節(jié)點）中，潔凈度要求趨近原子級水平。

核心技術(shù)與功能模塊

化學(xué)腐蝕系統(tǒng)

多配方兼容：支持HF、SPM（硫酸/雙氧水）、SC1/SC2等酸堿溶液，精準(zhǔn)調(diào)控濃度、溫度（±0.5℃）與反應(yīng)時間，適配不同污染物類型。

均勻性設(shè)計：噴淋式或浸泡式反應(yīng)槽，結(jié)合流體動力學(xué)優(yōu)化，確保晶圓表面腐蝕速率一致，避免局部過洗或殘留。

超聲波/兆聲波輔助：高頻振動（20kHz~1MHz）增強化學(xué)滲透，清除狹縫、孔洞內(nèi)的頑固顆粒。

純水沖洗與干燥模塊

多級DI水噴淋：采用18.2 MΩ·cm去離子水，配合過濾系統(tǒng)（0.1μm精度），清除化學(xué)殘留。

高效干燥技術(shù)：熱風(fēng)干燥、真空脫水或IPA（異丙醇）置換，防止水漬殘留導(dǎo)致缺陷。

智能控制系統(tǒng)

參數(shù)實時監(jiān)控：溫度、壓力、溶液濃度、流量等關(guān)鍵參數(shù)在線監(jiān)測，數(shù)據(jù)可追溯至MES系統(tǒng)。

程序靈活配置：支持單片清洗、槽式批量處理及組合工藝，適應(yīng)不同產(chǎn)能需求（如研發(fā)小批量或大尺寸晶圓生產(chǎn)）。

安全與環(huán)保設(shè)計

封閉式酸液回收：廢液分類收集，化學(xué)中和+過濾再生，減少危廢排放。

防腐腔體與密封：PFA/PTFE材質(zhì)反應(yīng)槽，耐HF、H?SO?等強酸腐蝕，延長設(shè)備壽命。

設(shè)備分類與應(yīng)用場景

按清洗方式

單片式清洗機：適用于高精度要求（如封裝、MEMS），單片處理保障均勻性。

槽式批量清洗機：多槽聯(lián)動（化學(xué)槽+沖洗槽），適合大批量生產(chǎn)（如12英寸晶圓）。

組合式設(shè)備：融合單片與槽式優(yōu)勢，兼顧效率與靈活性。

典型應(yīng)用

集成電路制造：預(yù)擴散清洗、銅互連后清洗、氧化物蝕刻后處理等。

光罩清潔：去除掩膜版表面的光刻膠殘留及納米顆粒（>0.1μm）。

封裝：TSV（硅通孔）、UBM（凸點下金屬層）清洗，提升3D封裝良率。

化合物半導(dǎo)體：GaAs、GaN等材料蝕刻與表面預(yù)處理。

行業(yè)價值與技術(shù)壁壘

提升良率與性能：高效去除>10nm顆粒及金屬污染，保障芯片電性能與可靠性。

國產(chǎn)替代突破：國內(nèi)廠商（如北方華創(chuàng)、盛美半導(dǎo)體）已實現(xiàn)12英寸單片清洗機量產(chǎn)，打破海外壟斷，成本降低40%-50%

技術(shù)挑戰(zhàn)：需平衡腐蝕速率、顆粒清除效率與基材無損，同時滿足環(huán)保法規(guī)。