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靜電放電發(fā)生器(HBM/MM部分)EDS 10IC

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱蘇州泰思特電子科技有限公司-EMC測試儀器
  • 品       牌
  • 型       號EDS10IC
  • 所  在  地蘇州市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2025/7/9 8:43:24
  • 訪問次數(shù)3
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    蘇州泰思特電子科技有限公司位于*開發(fā)區(qū)--蘇州高新區(qū),集科研、設(shè)計、制造、銷售、服務(wù)為一體的技術(shù)密集型企業(yè)。公司分為電磁兼容(EMC)測試儀器高壓沖擊(HIGH VOLTAGE)試驗實驗室系統(tǒng)集成三大業(yè)務(wù)主體。目前,在南京設(shè)有研發(fā)中心,致力于EMC技術(shù)深度研究和實踐應(yīng)用的技術(shù)開發(fā),在北京、深圳設(shè)有辦事處,積極為客戶提供專業(yè)細(xì)致服務(wù),努力打造*品牌。如今泰思特公司,在行業(yè)內(nèi)已發(fā)展成為國內(nèi)*規(guī)模和影響力的專業(yè)廠商。

     蘇州泰思特以“誠信”、“創(chuàng)新”、“共贏”為公司宗旨,以推廣和應(yīng)用為己任,以“3ctest”為公司主打品牌,積極開拓國內(nèi)外市場,廣泛開展與高校、國家科研機構(gòu)、計量檢測單位以及公司采取多方面合作。同時,近年來公司也 積極參與國家標(biāo)準(zhǔn)及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的制定和貫標(biāo)活動。我們將持續(xù)不斷地提升產(chǎn)品技術(shù)含量,關(guān)注和研究*的測量測試技術(shù)的發(fā)展和變化,為“中國創(chuàng)造”盡一份微薄之力.。

     公司是通過 ISO90012000質(zhì)量體系認(rèn)證的企業(yè),使得 “3ctest”產(chǎn)品在科研、生產(chǎn)、檢驗、試驗、調(diào)試等生產(chǎn)過程各個環(huán)節(jié)中,使產(chǎn)品質(zhì)量得到充分保證。目前產(chǎn)品廣泛用于電力系統(tǒng)、家用電器、自動化控制、儀器儀表、消費電子、汽車電子、通訊、安防監(jiān)控、LED照明、醫(yī)療器械,新能源行業(yè)、航空電子設(shè)備和*部門等企業(yè)、EMC檢測認(rèn)證機構(gòu)。產(chǎn)品不僅為大陸*企業(yè)、合資和獨資企業(yè)及認(rèn)證檢測機構(gòu)所采用,還遠(yuǎn)銷香港和中國臺灣及東南亞地區(qū)。

     蘇州泰思特公司始終把*產(chǎn)品作為對未來市場競爭的積極把握,從產(chǎn)品使用到測試、對策及解決方案,我們將一如既往的積極配合客戶所需,有效的協(xié)助廠商順利通過產(chǎn)品認(rèn)證(CE  UL  CCC )以及自身產(chǎn)品的可靠性要求,我們真誠地期待與您的合作。

靜電放電發(fā)生器,雷擊浪涌發(fā)生器,脈沖群發(fā)生器,工頻磁場發(fā)生器,噪聲模擬發(fā)生器,EMI傳導(dǎo)噪聲分析儀,脈沖磁場發(fā)生器,沖擊電流發(fā)生器,沖擊電壓發(fā)生器
EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設(shè)計,可以對LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進行靜電抗擾度的測試
靜電放電發(fā)生器(HBM/MM部分)EDS 10IC 產(chǎn)品信息
EDS 10IC靜電放電發(fā)生器針對人體模型(HBM)和機械模型(MM)的靜電放電抗擾度試驗的特點和要求專門設(shè)計,可以對LED、晶體管、IC等半導(dǎo)體器件進行靜電抗擾度的測試。符合IEC、ESDA、JEDEC和MIL等相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的要求,同時滿足上述所有標(biāo)準(zhǔn)中最嚴(yán)酷等級的靜電電壓要求。

特點:
>全新三代控制平臺 ,觸摸屏智能化控制。
>電壓5V,1V步進精準(zhǔn)調(diào)節(jié)電壓
>可完成單次或自動放電測試,可設(shè)置次數(shù)、頻率等參數(shù)。

測試連接示意圖1  EDS-HBM:

測試連接示意圖2  EDS-MM:


  • Human Body Model (HBM)
  • Machine Model (MM)
  • ESDA ANSI/ ESD STM5.2-2009
  • JEDEC JESD22- A114E Jan.2007
  • ANSI /ESD-STM5.1 2007
  • MIL-STD-883G 28 Feb.2006
  • ANSI/JEDEC JS-001-2010
  • JEDEC JESD22- A115C Nov.2010

技術(shù)參數(shù)

HBM 短路電流參數(shù)

放電電容

100 pF

放電電阻

1500 Ω

峰值電流Ips

0.17 A +10% @250 V

0.33 A +10% @500 V

0.67 A +10% @1000 V

1.33 A +10% @2000 V

2.67 A +10% @4000 V

上升時間

2 ns~10 ns

脈沖寬度

150 ns + 20 ns

振鈴幅度

<15%峰值電流

HBM 500歐電阻電流參數(shù)

峰值電流Ipr

375 mA~550 mA @ 1000V

1.5 A~2.2 A @ 4000V

Ipr/Ips

63%

上升時間

5 ns~25 ns

MM短路電流參數(shù)

放電電容

200 pF

放電電阻

0 Ω

峰值電流Ip1

0.44 A +20% @25 V

0.88 A +20% @50 V

1.75 A +10% @100 V

3.5 A +10% @200 V

7.0 A +10% @400 V

Ip2/Ip1

67%~90%

周期

66 ns~90 ns

MM 500歐電阻電流參數(shù)

峰值電流Ipr

0.85 A~1.2 A @ 400 V

100 ns電流值 I100

0.23 A~0.40 A @ 400 V

I200/I100

30%~55%

通用參數(shù)

輸出電壓

HBM 5 V~8000 V (5%+5V)

MM  5 V~1000V (5%+5V)                                

極性

正、負(fù)或正負(fù)交替

頻率

0.1 Hz~5 Hz

觸發(fā)次數(shù)

1~999

觸發(fā)方式

自動,手動,外觸發(fā)

輸入電源

AC 100 V ~240 V +10% 

50 Hz /60 Hz

環(huán)境溫度

15~35

儲藏溫度

-10~50

相對濕度

25%~75%

尺寸

450 mm x320 mm x190 mm(xx)

重量

10 kg


附件

1.測試座 IC-DIP40

 

放置IC芯片使用

2.測試線

EDS 10IC-line1/line2

 

測試連接使用

說明書、電源線、接地線

選配件

測試座SCTS TO-56

 

放置TO56封裝被測設(shè)備使用


關(guān)鍵詞:晶體管
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