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日立IGBT模塊MBN1200E17D

參考價 9999
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱北京京誠宏泰科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號MBN1200E17
  • 所  在  地北京市
  • 廠商性質經銷商
  • 更新時間2024/1/19 11:16:03
  • 訪問次數4704
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北京京誠宏泰科技有限公司是一家集代理、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。專業銷售代理國內外電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要代理及經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、SIEMENS西門子、西門康Semikron、瑞士ABB, IXYS艾賽斯、Mitsubishi三菱、Fuji富士、SanRex三社、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Fairchild飛兆半導體、Sanken三肯、因達NIEC,美國IR,NELL尼爾;yaskawa安川;英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、美國BHC電解電容以及美國CDE無感電容;CONCEPT IGBT驅動模塊、光耦、變頻器主控板、驅動板,操作面板及延長電纜等配件以及富士制動單元

銷售各大半導體功率器件工業備品配件:IGBT模塊;單管IGBT模塊;雙管半橋IGBT模塊;4單元H橋IGBT模塊;3單元IGBT模塊;6單元三相全橋IGBT模塊;
三電平IGBT模塊;6500V高壓IGBT模塊;3300V高壓IGBT模塊;4500V高壓IGBT模塊;IPM模塊;PIM模塊;PLC模塊;GTR達林頓模塊 ;GTO晶閘管;普通晶閘管;
快速晶閘管; 二極管;快恢復二極管;整流橋;剎車整流器;單相整流橋;三相整流橋;全控整流橋;半控整流橋;可控硅;雙向可控硅;反并聯可控硅;驅動板;
IGBT驅動板;可控硅驅動板;可控硅觸發板;晶閘管觸發板; MOSFET管;場效應模塊;電容;直流鋁電解電容;交流濾波電容;啟動電容器;無功補償電容器;
快熔;延時慢熔;智能功率模塊;智能晶閘管模塊;工業觸摸屏;操作面板;工控機;變頻器整機及配件;軟啟動器整機及配件;電力調整器整機及配件;
ABB變頻傳動備件;西門子變頻傳動/直流調速備件;風電/煤礦/石油/鐵路/光伏/新能源汽車備件!

主要銷售德國,歐洲、美國、日本等品牌模塊。公司一直本著“質量*,價格合理, 交貨快捷,客戶至上”。公司經 營的電力功率模塊,主要用于航天航空,機場設施,電機調速,礦山焊機,船舶艦艇,通用變頻器、高壓變頻器、伺服驅動器 、UPS、變頻與傳動、電動汽車、電力系統無功補償裝置UPS逆變器/UPS/EPS、風電變流器、變頻空調、光伏變流、機車主牽引變流器、電梯變頻器 、起重專用變頻器 、 感應加熱、電源電鍍/電解電源 、有源濾波/無功補償、機車輔助逆變器、逆變焊機;京誠宏泰科技 在逆變焊機、不間斷電源UPS、Inverter變頻器、數控伺服、電動汽車、風力太陽能發電等領域與客戶戰略合作,全力支持中國電力電子工業發展!


IGBT,IPM,可控硅,整流橋,二極管,晶閘管,變頻器配件,IGBT驅動,快熔,電容
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小
日立IGBT模塊MBN1200E17D 產品信息

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售日立IGBT模塊MBN1200E17D

VCES=1700V  ; IC=1200A

Silicon N-channel IGBT

∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode. 
∗ High reliability, high durability module. 
∗ High thermal fatigue durability.(delta Tc=70°C, N>30,000cycles) 
∗ Isolated heat sink (terminal to base).

∗ High speed, low loss IGBT module. 
∗ Low driving power due to low input  capacitance MOS gate. 

日立IGBT模塊型號:

MBN200GS6AW、

MBN325A18、

MBN300GS6AW、

MBN1800D17、

MBN400GS6AW、

MBN200GS12AW、

MBN300GS12AW(BW)、

MBN400GS(NS)12AW(BW)、

MBN600GS(NS)12AW(BW)、

MBN800GS12AW(BW)、

MBN1000QS12AW(BW)、

MBN1000JS12AW、

MBN800GR17、

MBN1200GS(NS)12AW、

MBN325C20、

MBN400C20、

MBN500C20、

MBN600C20、

MBN600C33A、

MBN1200D25AW(B)、

MBN400D33、

MBN600D33、

MBN1200D33AW、

MBM100AS6、

MBM150GS6AW、

MBM200GS6AW、

MBM200BS6、

MBM200HS6A(6G)、

MBM300GS6AW、

MBM300HR6HY、

MBM300HS6B(6H)、

MBM400GS(JS)6AW、

MBM400HS6A、

MBM600GS6CW、

MBM75GS12A、

MBM100GS12A、

MBM150GS12AW(EBW)、

MBM200GS12AW(EBW)、

MBM200JS12AW、

MBM300GS(NS)12AW、

MBM400QS12AW、

MBM600QS12AW、

MBM300HT12、

MBM150HT12、

MBB100AS6、

MBB75GS12A、

MBB100GS12A。

 

關鍵詞:IGBT
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