性能特點：
1、一體式結構設計，隔爆型IIC級防爆等級，散熱性能好，防爆性能可靠；
2、用優質鋁合金材料壓鑄成型，外表面高科技圖噴處理，抗沖擊和防腐性能力強，可在戶外*使用；
3、選用綠色大功率LED固態光源，光效高、壽命長，可實現*免維護，光線柔和均勻、無眩光，耗電量僅為同光白織燈的20％， 經濟環保；
4、透明件經過優化設計處理，選用進口防彈膠材料，透光率高，抗沖擊性能好，能使燈具在各種惡劣環境下正常工作
5、全套電器采用進口牌，功率因數高達0.9以上。功耗和溫升低、工作性能
6、帶裝用電纜引入裝置，密封性能良好，可直接鋼管或電纜布線。
7、可采用座式、壁掛式、吸頂式等多種安裝方式，安裝簡單方便。

適用范圍：BFE8126LED防爆燈；100W芯片LED防爆照明燈
1、爆炸性氣體混合物危險場所：1區、2區
2、爆炸性氣體混合物： ⅡA、ⅡB、IIC
3、溫度組別：T1-T6
4、海拔高度不超過2000米
5、環境溫度25℃時，相對濕度95％以下
6、工作環境溫度-20℃～+40℃之間
7、適用于石油開采、煉油、化工、*、航天等危險環境及海洋石油平臺、油輪等場所照明之用

技術參數：BFE8126LED防爆燈；100W芯片LED防爆照明燈
隔爆標志：Exd IIC T6
防護等級：IP65
工作環境：-20℃～40℃～60℃
額定電壓：AC220V  50Hz
額定功率： 10W、20、30W、40W、50W、60W、70W、80W
光通量；4800-5280-8600
照度：＞100Lx（4.5米處測試
色溫：4500～6500K
顯像指數：＞75
重量：≤3.9Kg-4.95 Kg
外形尺寸：Φ230x240 mm和280x240mm

LED防爆燈也有自己的“身份牌”
LED防爆燈的其中一個非常重要的防爆原理就是限制與爆炸性氣體、爆炸性粉塵接觸的外殼表面、零部件表面或電子元器件表面的溫度以及限制電氣接觸表面溫度低于其小點燃溫度或引燃溫度。其原理同防爆燈相同，只不過光源是LED光源，是指為了防止點燃周圍爆炸性混合物如爆炸性氣體環境、爆炸性粉塵環境、瓦斯氣體等而采取的各種特定措施的燈具。LED防爆燈是目前節能的防爆燈具，廣泛用于油田-電廠-化工廠-石油-*。
和人一樣，每一款LED防爆燈都有其各自的“身份牌”，這“身份牌”上標注了以下信息：
1、防爆標志。
2、基本標志：包括產品名稱、型號、制造廠名、注冊商標、出廠日期等。
3、性能安全標志：包括額定電壓、電流、標稱頻率、光源功率和數量、允許環境溫度(該范圍僅為-20～+40℃時可不標)、特定的適用環境標志(如對僅適用某一種爆炸性氣體混合物的產品，須標明可燃氣體的名稱或分子式)，防爆燈具的分類標志(如"數字)等。
4、防爆合格證編號，證明產品已經防爆檢驗站正式檢驗通過。有些產品防爆合格證編號后帶“x”符號，這表明該種產品只能在某種特殊的安全使用條件下使用，規定條件應在燈具外殼或產品說明書中明確醒目地注明。

今日采摘：今年是我國啟動“半導體照明工程”十周年。近日，中科院半導體照明研發中心主任李晉閩向《中國科學報》記者介紹說，我國在基于GaN基LED的白光照明技術方面已取得突飛猛進的發展。在350毫安的工作電流下，白光LED的發光效率從2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。
據了解，半導體照明的能源消耗只有普通白熾燈的1/10，但其壽命可達10萬小時以上。據估算，如果半導體照明能占領我國1/3的照明市場，每年可節電2000億度，相當于兩個多三峽電站的發電量。2003年，在時任半導體所所長李晉閩的建議下，*經過深入調研和組織，正式啟動“國家半導體照明工程”。2004年，數十家企業和科研單位聯合開展半導體照明關鍵技術攻關。2006年，經過兩年的籌備后，中科院半導體照明研發中心正式成立。中心在深紫外LED研究方面結出了累累碩果。2008年，中心成功制備*支發光波長在300納米以下的深紫外LED器件，實現了器件的毫瓦級功率輸出。“十二五”以來，在“863”項目支持下，由中科院半導體所牽頭、國內優勢單位參與，目前已成功將深紫外LED的輸出功率提高到接近4毫瓦（20毫安電流下）。
同時，研發中心在LED產業的核心——MOCVD裝備核心技術開發方面進展順利，初步研制出48片生產型MOCVD設備，為實現產業化開創了良好局面；研發出HVPE生長系統，并在推廣型立式HVPE系統上開發出HVPEGaN自支撐襯底的生長技術。