硅材料硅產(chǎn)品清洗超純水設(shè)備設(shè)備參數(shù)：

　　型號：qm-gcp001

　　進水口徑：40(mm)

　　產(chǎn)水量：3T/H

　　工作壓力：290(psi)

　　功率：5.5(w)

　　電導(dǎo)率：0.055us/cm

　　脫鹽率：99.9%(%)

硅材料硅產(chǎn)品清洗超純水設(shè)備

　　微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。所以單晶硅/多晶硅/硅材料/太陽能電池硅片、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中必須用超純水，目前制取超純水工藝可分為反滲透+混床超純水設(shè)備，二是反滲透+EDI超純水設(shè)備，這是兩種制取超純水設(shè)備常用的工藝。超純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結(jié)耐壓降低，III族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導(dǎo)體特性惡化，V族素(P、As、Sb等)會使P型半導(dǎo)體特性惡化，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20%~50%)會使P型硅片上的局部區(qū)域變化為N型硅而導(dǎo)致器件性能變壞。水中的顆粒(包括細(xì)菌)如吸附在硅片表面，就會引起電路短路或特性變差。