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時芳芳

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  • 可控硅原理

    可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
  • 可控硅特性

    可控硅特性可控硅*陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和*陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓,就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約1V。雙向可控硅一旦導通,即使失去觸發電壓,也能繼續保持導通狀態。只有當*陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時,雙向可控硅才截斷,此時只有重新加觸發電壓方可導通。
  • IPM小功率單相智能變頻器的設計

    1引言單相交流感應電機的變頻調速在許多消費類產品(電扇、洗衣機等)及工業類產品(鼓風機、泵等)中應用廣泛,人們可以使用單相通用變頻器,但通用變頻器價格較高,結構復雜,體積較大,只能安裝在電機外部,既增加了使用的不方便,過多的設定功能又造成了浪費。因此,本文設計了一種小型的單相電機智能變頻控制電路,它只需一塊ic控制器ml4421,一塊ipm功率放大驅動模塊,一些電容電阻,無需軟件開發,結構簡單,體積小,還可以放入一般的感應電機內,即可以實現變頻器機電一體化,又增加了安裝使用的方便。2控制電路設計
  • 基于SG3525的開關電源設計及驅動模塊SKYPER32PRO

    1引言隨著電子技術的高速發展,電子設備的種類與日俱增。任何電子設備都離不開可靠的供電電源,對電源供電質量的要求也越來越高,而開關電源在效率、重量、體積等方面相對于傳統的晶體管線性電源具有顯著優勢。正是由于開關電源的這些特點,它在新興的電子設備中得到廣泛應用,已逐漸取代了連續控制式的線性電源。圖1功率主電路原理圖2功率主電路本電源模塊采用半橋式功率逆變電路。如圖1所示,三相交流電經EMI濾波器濾波,大大減少了交流電源輸入的電磁干擾,同時防止開關電源產生的諧波串擾到輸入電源端。再經過橋式整流電路、濾
  • 雙向可控硅的設計及應用分析

    引言1958年,從美國通用電氣公司研制成功*個工業用可控硅開始,電能的變換和控制從旋轉的變流機組、靜止的離子變流器進入以電力半導體器件組成的變流器時代。可控硅分單向可控硅與雙向可控硅。單向可控硅一般用于彩電的過流、過壓保護電路。雙向可控硅一般用于交流調節電路,如調光臺燈及全自動洗衣機中的交流電源控制。雙向可控硅是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且僅需一個觸發電路,是目前比較理想的交流開關器件,一直為家電行業中主要的功率控制器件。近幾年,隨著半導體技術的發展,
  • IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用研究

    通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論,介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用關鍵詞:IGBT;驅動保護電路;電源IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷速度快和工作頻率高等優點。但是,IGBT和其它電力電子器件一樣,其應用還依賴于電路條件和開關環境。因此,IGBT的驅動和保護電路是電路
  • 高性能IGBT提高太陽能逆變器效率

    專家估計,市場每年對太陽能逆變器的需求大約增長30%;消費者需要更便宜的電子設備,降低產品成本的一個重要途徑就是提高太陽能逆變器的效率。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)能夠幫助產品設計者應對他們所面臨的設計具有更高電路效率和性能的產品的挑戰。這類器件也稱為電導調制場效應晶體管(CMFET),是MOSFET的近親,主要在各種應用中用作電源開關。這些電壓控制的器件在市場上隨處可見,在開關電源設備中采用合適的IGBT代替類似的MOSFET器件能夠提高能效,降低產品成本。一些供應商的產品及其廣泛應用例如,
  • 基于2SD31I-33模塊的IGBT驅動保護電路設計

    摘要:IGBT驅動保護電路是IGBT可靠、穩定、運行的基礎,也是IGBT所構成系統可靠運行所*的。本文所提出的IGBT驅動保護電路是應用于二極管箝位式的三電平變頻器當中,在介紹IGBT主要特性的前提下,介紹應用CONCEPT公司的2SD315模塊設計具有高可靠性、高集成度,率等特點的IGBT驅動保護電路,zui后給出以型號為2SD31I-33驅動模塊的實際驅動電路。關鍵詞:IGBT,驅動電路,三電平變頻器,2SD3151、引言IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor
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