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說明:
當與第三方系統通訊時（例如通過 Modbus 協議時）， 由于在存儲器中不同的字節順序可能會導致通信的沖突。 S7-200 是以大尾形式存儲：數據中的高字節存儲在存儲區的低位地址。其它的存儲方式：

• 小尾：數據中的低字節存儲在存儲區的低位地址。
• 中尾：3-4-1-2 順序或 2-1-4-3  順序 (數字順序與所參考的大尾雙字中的字節順序相對應）

通過使用 "Endian" 庫將字和雙字轉換成為需要的字節順序

圖. 01

庫包含了以下程序塊 "Endian_B_DW", "Endian_D_DW" and "Endian_B_W"。

Endian_B_DW

圖. 02

"Endian_B_DW" 塊將 "IN" 端雙字的字節順序轉換成 "OUT" 端雙字的字節順序，此功能被用來將大尾形式存儲的雙字轉換成小尾形式存儲或相反。

圖. 03

圖. 03 顯示了雙字 VD0 = 16#1A2B3C4D 轉換成雙字 VD4 = 16#4D3C2B1A。雙整型數 439.041.101 與 16 進制數1A2B3C4D 和浮點數 3.541068*10^(-23) 是相*的。

Endian_W_DW

圖. 04

 "Endian_W_DW"  塊將 "IN" 端 雙字中字的順序轉換成為 "OUT" 端雙字中字的順序。此功能將以大尾存儲的雙字轉換為中尾3-4-1-2存儲或相反。

圖. 05

圖. 05 顯示了雙字 VD0 = 16#1A2B3C4D  轉換成為雙字 VD8 = 16#3C4D1A2B。

Endian_B_W

圖. 06

 "Endian_B_W" 塊將 "IN" 端 字中的字節順序轉換成 "OUT"  端字中的字節順序 。此功能將以大尾存儲的字轉換成小尾存儲或相反。如果將此功能用于雙字中的兩個字，就可以實現將大尾存儲的雙字轉換成中尾2-1-4-3存儲或相反。

問題描述:
當高性能電容的時間(根據 CPU 類型不同而不同)用完，或者電池模塊過期(200天)，修改過的參數就會丟失。使用以下程序庫所提供的子程序，可以在 CPU 中的內部 EEPROM 中保存完整的變量區域，在運行期內該區域是不易失的(在系統手冊中僅說明了保存單個變量)。

軟件要求：
此操作程序庫使用需要 STEP 7 Micro/WIN  V4.0 SP7 或者更高的版本 。

警告：
當 CPU 啟動時，包含 DB (數據塊)的存儲卡不可以被插入。如果包含 DB 的存儲卡被插入，CPU 會讀出存儲卡的內容而不是去讀內部 EEPROM，同時存儲數據被錯誤的寫回。

合并和使用庫：

1. 將下載的文件“store_to_eeprom.zip”保存在電腦上。
2. 在獨立的目錄下解壓文件“store_to_eeprom.zip”。
3. 雙擊開始解壓的 STEP 7 Micro/WIN 庫 “store_to_eeprom.mwl”。
4. 在 STEP 7-Micro/WIN 對話欄中打開確認集成的庫。

增加的 “EEPROM (v1.0)”文件夾中包含了子程序“EEPROM_Direct"”和 “EEPROM_Indirect”。

圖：01

使用子程序：

1. 在網絡中從文件夾“EEPROM (v1.0)”插入所需要的子程序。
2. 根據例程中的參數列表給所選子程序分配輸入輸出參數。

使用適當的邏輯連接，以確保在執行期間程序執行觸發輸入位“Start”保持為1 (高)。

更多的信息也可以在子程序的注釋中得到。.

注意：
不能以很高的頻率在 EEPROM 上保存數據。EEPROM 典型的存儲次數為100,000次。如果超過這個值，CPU 將發生故障。 如果按小時在 EEPROM 上保存數值，那么 EEPROM 的預計使用壽命是 11 到 12 年。

起始地址為直接尋址“EEPROM_direct"”例程：

 
圖： 02
 

表： 01

起始地址為間接尋址“EEPROM_indirect”例程：

　
圖： 03
 

表：02

程序測試：
程序運行后， 刪除可保持的 V 變量并將存儲的數據裝載回 CPU。