高通基于臺積電45nm工藝芯片完成呼叫
閱讀：215發布時間：2007-11-21
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煙臺勾股通信技術有限公司
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無線技術和數據解決方案廠商美國高通公司（Qualcomm）日前宣布已使用以45納米（nm）工藝技術制造的3G芯片完成呼叫。作為新一代的CMOS半導體制造技術，45納米技術可提高芯片的速度、降低功耗、提高集成度，并通過增加每片晶圓的裸片數以降低裸片成本。高通公司的此次呼叫使用了中國臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）的45納米芯片。
“憑借我們與代工合作伙伴TSMC緊密的戰略合作關系，高通公司能夠利用的半導體工藝技術推動無線通信的發展。”高通CDMA技術集團產品管理副總裁史蒂夫·莫倫科夫（SteveMollenkopf）表示，“這一具有里程碑意義的呼叫表明了我們在為市場提供新一代芯片方面的進展，這種芯片將為用戶提供良好的性能和功能。”
“高通公司采用TSMC的45納米工藝3G芯片實現的呼叫成功，是提倡端到端協作的集成代工模式的例證。兩家公司在設計和技術方面的協作努力讓產品以更快的速度上市。”TSMC第二運營部的*副總裁劉德音表示，“高通公司的設計和TSMC的技術和制造能力的組合將持續確保未來的進一步成功。”
高通公司zui近推出了低功耗優化的45納米工藝技術。這種工藝技術利用*的浸入式光刻技術和超低k介電層材料，能夠提供競爭力的性能、更高的成本效益、更好的防漏電性和更高的集成度。此外，高通公司正在開發40納米工藝技術，將為半導體性能、成本和效率創造更大的優勢。
