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美國EOS公司探測器

2019-2-19  閱讀(2202)

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美國EOS硅si光電探測器

1、Si探測器(響應波段范圍:0.2-1.1):

簡介:美國EOS硅si光電探測器,硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下,該產品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備。

室溫Si探測器:

Detector type

Active Dia

(mm)

Shunt Resistanve

(MΩ)

Shunt Capacitance

(PF),tpy

Operating Wavelength (nm)

Spectral

Responsivity

(A/W)

NEP

(W/ )

@800nm,1KHz

S-010

1.0

500

25

300-1000

0.55@850nm

<1.0x

UVS-010

1.0

500

50

200-1000

0.55@800nm

<1.0x

S-025

2.5

500

400

300-1000

0.55@850nm

<1.0x

UVS-025

2.5

200

300

200-1000

0.50@800nm

<1.5x

S-050

5

200

1500

350-1100

0.55@850nm

<1.5x @850nm

UVS-050

5

50

1000

200-1100

0.50@800nm

<3.0x @700nm

S-100

10

10

1000

350-1100

0.50@850nm

<1.0x @850nm

UVS-100

10

50

1800

200-1000

0.50@800nm

<5x @800nm

S-113

11.3

200

9000

300-1100

0.55@850nm

<1.5x

UVS-113

11.3

10

4000

200-1000

0.50@800nm

<1.0x

二級制冷Si探測器:

type

Operating Temperature(℃)

Shunt

Resistanve

(MΩ)

Shunt Capacitance

(PF),tpy

NEP

(W/ )@800nm

Responsivity@850nm

(A/W)

Cooler Current

(A)

S-010-TE2

22

500

25

 

0.55

0.00

-30

>1000

25

 

0.55

0.65

UVS-010-TE2

22

500

50

 

0.55

0.00

-30

>1000

50

 

0.55

0.65

S-025-TE2

22

100

400

<1.9x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

400

<5x10-15

0.55

0.65

UVS-025-TE2

22

200

300

<1.5x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

300

<10-14

0.55

0.65

S-050-TE2

22

>200

1000

<1.5x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

1000

<10-14

0.55

0.65

UVS-050-TE2

22

>100

1000

<2x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

1000

<10-14

0.55

0.65

S-100-TE2

22

10

1000

<1.0x10-13

0.50

0.00

-30

500

900

<1.0x10-14

0.50

0.70

UVS-100-TE2

22

50

1800

<5.0x10-14

0.50

0.00

-30

1000

1600

<1.0x10-14

0.50

0.70

  西安立鼎光電科技有限公司是一家專業從事各種光電類產品以及其部件、組件、元件的專業代理、研發生產、系統集成、銷售推廣為一體的*。公司專注于為客戶提供從元件、組件、部件到全套光電系統產品的完整解決方案。公司總部位于中國古都西安的電子城街區和高新技術開發區之間,周圍有眾多高校、科研院所及*,科研創新氛圍濃厚,是公司人才引進和技術創新的強大源泉。為了便捷地服務于國內廣大客戶,公司在北京、深圳、上海、武漢、香港等地設有分公司或辦事處。

 

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