當前位置:上海三莘電子科技有限公司>> SS41Honeywell ss41存儲芯片IC
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特性
寬工作電壓范圍: 3.85V~30V
zui大輸出灌電流:30mA
芯片力方向連接保護
工作溫度:-40℃~+150℃
封裝形式: SIP3L
應用
● 無刷直流電動機
● 無刷直流風扇
● 旋轉計數
● 速度測量
電路框圖
符號 序號說明
Vcc 1 電源輸入端
Gnd 2 接地端
Output 3 輸出端,在磁場北極時輸出低電平
調整器
1 2 3
Vcc Gnd Output
磁特性參數
Symbol Parameter MIN. TYP. MAX. UNIT
Bop 工作點 10 80 高斯
Brp 釋放點 -80 -10 高斯
Bhy 磁滯 90 高斯
電特性參數
Symbol Parameter CONDITIONS TYP. UNIT
Vcc 電壓 工作狀態 3.85 30 V
Vcc = 12V, 輸出”ON”,
Io = 25mA
- 0.15
VO (SAT) 輸出飽和電壓 V
Vcc = 12V, 輸出”ON”,
Io = 50mA 0.45
V
Icc 電流 Vcc = 4V~28V, 輸出 ”OFF”
ILE 輸出漏電流(漏向傳感器輸出) 釋放 - 10 μA
Tr 上升沿時間 RL=820Ω, CL=20pF 0.2 μS
Tf
輸出開關時間
下降沿時間 RL=820Ω, CL=20pF 0.5 μS
引腳排列
磁特性參數
Symbol Parameter MIN. TYP. MAX. UNIT
Bop 工作點 10 80 高斯
Brp 釋放點 -80 -10 高斯
Bhy 磁滯 90 高斯
電特性參數
Symbol Parameter CONDITIONS TYP. UNIT
Vcc 電壓 工作狀態 3.85 30 V
Vcc = 12V, 輸出”ON”,
Io = 25mA
- 0.15
VO (SAT) 輸出飽和電壓 V
Vcc = 12V, 輸出”ON”,
Io = 50mA 0.45
V
Icc 電流 Vcc = 4V~28V, 輸出 ”OFF”
ILE 輸出漏電流(漏向傳感器輸出) 釋放 - 10 μA
Tr 上升沿時間 RL=820Ω, CL=20pF 0.2 μS
Tf
輸出開關時間
下降沿時間 RL=820Ω, CL=20pF 0.5 μS
zui大額定值
參數 符號 額定值
供電電壓 VCC 40V
外部應用輸出電壓 Vout (off) 40 V DC max, 僅OFF條件下
輸出電流(Io) Io (sink) 50 mA
功耗 PD 450mW
工作溫度范圍 Top -40 to +150℃
儲存溫度范圍 Tst -65 to +150℃
尺寸 (毫米)
符號
zui小值 zui大值
A 1.25 1.75
A1 0.75
b 1.26
C 0.40 0.50
c 0.34 0.45
D 3.95
d 0.10
E 2.86 3.12
e 2.55
L 13.50 15.50
L1 0.35 0.40
θ 45ο
運行特性
磁通量密度
N 0 S
Vsat Brp Bop
Bh
L
H
Vd
Vcc
Vout
S
Mark
N
θ
D
E
L
C
c
b
e
d
A
A1
L1
封裝尺寸
zui大額定值是指超出該值的元器件壽命可能被削弱
HSS41
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