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詳細介紹
系統規格：
波長范圍：350~850nm
波長范圍：350~850nm
入射角：30°~ 90°
解析度：±0.01°
待測樣品尺寸：up to 200mm °
精度：1200A SiO2標準片 °
厚度：（Tks）：±6A
折射率（N）：±0.01 at 632.8nm
重復性：1200A SiO2標準片 °
厚度（Tks）：±2.5A
折射率（N）：±0.005 at 632.8nm （5 times）
尺寸：140cm×50cm×60cm
應用：
太陽能電池
SiNx減反膜工藝
TiO2減反膜工藝
復合SiNx減反膜工藝
SiO2鈍化工藝
復合SiNx/ SiO2減反膜工藝
SiO2掩膜工藝
TFT-LCD
SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…
SEMI
High-k：AL2O3，SiO2，Si3N4，SiNx…
LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…
OLED
AlQ3，CuPc…
軟件特征：
整合量測、分析、計算 操作模式安全化 同步原始數據呈現
硬件特征：
高穩定性氙燈光源
高解析度光柵式單色儀
波長范圍：350~850nm
波長解析度：1nm，精度：0.5nm
三格林泰勒棱鏡偏振系統
波長：260~1800nm
消化比：＞105
發散角：≤3mrad
真空吸附載物臺
自動連續入射角（零度校正）
高分辨率光電倍增管探測器
波長范圍：185nm~900nm
暗電流：≤25 nA
自動電壓增益控制系統（Vmax：1100v）
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