晶體管主要材質為半導體，從1947年被研制成功后，發展至今，被廣泛融入到生活當中。晶體管主要被用于開關、信號調試等領域。由于其半導體的材質介于導電和不導電之間，因此晶體管的制備選用不導電的超純水。超純水設備操作簡單，占地面積小，運行過程中幾乎將水中的雜質*除去，出水不導電，符合晶體管生產的用水需求，是電子行業的重要設備之一。 

晶體生產用超純水設備性能優勢: 

1、日常保養，操作簡單、勞動強度低。 

2、無污染物排放，既環保又省去了廢液處理的投資。 

3、可連續，穩定地生產高品質純水，無需因樹脂再生而停機。 

設備結構緊湊，占地面積小，節約空間，同時還具有節能優點。 

晶體生產用超純水設備污染物對設備效果的影響: 

　　1、氯和臭氧會氧化離子交換樹脂和離子交換膜，引起EDI組件功能減低。氧化還會使TOC含量明顯增加，污染離子交換樹脂和膜，降低離子遷移速度。另外，氧化作用使得樹脂破裂,通過組件的壓力損失將增加。鐵和其它的變價金屬離子可對樹脂氧化起催化作用，*地降低樹脂和膜的性能。 

　　2、對晶體管生產用超純水設備影響較大的污染物包括硬度離子、有機物、固體懸浮物、氧化劑和二氧化碳以及細菌等。設計超純水系統時應在超純水的預處理過程除掉這些污染物。在預處理中降低這些污染物的濃度可以提高超純水的性能。 

　　3、硬度離子能在反滲透和EDI單元中引起結垢。結垢一般在濃水室膜的表面發生，該處pH值較高。此時，濃水入水和出水間的壓力差增加，電流量降低。組件設計采取了避免結垢的措施，可使入水硬度降到小將會延長清洗周期并且提高超純水系統的利用率。懸浮物和膠體會引起膜和樹脂的污染和堵塞，樹脂間隙的堵塞導致EDI組件的壓力損失增加。 

　　4、二氧化碳有兩種效果。首先，CO32-和Ca2+、Mg2+形成碳酸鹽類結垢，這種垢的形成與給水的離子濃度和pH有關。其次，由于CO2的電荷與pH值有關，而其被RO和EDI的去除都依賴于其電荷，因此它的去除效率是變化的。即使較低的CO2都能顯著地降低產品水的電阻率。