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PN高速光電探測器

一、InGaAsAPD/PIN光電探測器：

1、InGaAsAPD光電探測器：（900nm-1700nm）高質量陶瓷以及光纖封裝。典型應用于通信，數據傳輸，人眼安全激光測距機等。
型號：C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN（小面積）光電探測器：（900nm-1700nm）高質量陶瓷以及光纖封裝。典型應用于通信，數據傳輸，儀表等。
型號：C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN（大面積）光電探測器：（900nm-1700nm）高質量窗口以及光纖封裝。典型應用于光功率表，人眼安全激光通信，儀表等。
型號：C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN（大面積）擴展波長光電探測器：（1um-2.5um）高質量陶瓷封裝，提供不帶制冷器、一級制冷器和二級制冷器三種封裝的產品。典型應用于非破壞性檢查，水汽測量，生物化學應用，環境監控等，需要相關資料，請咨詢。

二、SiliconAPD光電探測器：

1、SiliconAPD標準雪崩管：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于熒光探測，小信號快速探測，LIDAR，光子計數，數據傳輸，儀表，自適應光學，共焦微透鏡等。
型號：C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光電探測器陣列：（400nm-1100nm）密封陶瓷封裝。典型應用于LIDAR，分光鏡，粒子探測，自適應光學，跟蹤系統等。
型號：四象限陣列C30927E、線性陣列C30985E

3、SiliconAPD低價格光電探測器：（400nm-1100nm）大量，低價格探測器。典型應用于激光測距，防碰撞系統等。
型號：低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD熱電致能型光電探測器：（400nm-1100nm）帶一級或者兩級熱電致冷器，冷卻APD，減少小信號探測時的熱噪聲，內部集成的熱電阻用來溫度監控以及致冷器控制。典型應用于小信號熒光探測，光子計數，快速或者微弱信號探測，自適應光學等。型號：C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近紅外增強型（1.064um）光電探測器：密封陶瓷封裝。典型應用于LIDAR，紅外激光測距，熒光探測，快速或者小信號探測。
型號：C30954E，C30955E，C30956E

6、SiliconAPD光纖耦合型光電探測器：光纖耦合封裝。典型應用于光纖數據傳輸，遠程光傳感器，小信號探測等。
型號：C30921

7、SiliconAPD輻射探測器：大光敏面積，平板封裝。典型應用于直接探測光，x-Rays,電子的輻射。
型號：C30626，C30703

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