膜技術和蒸發結合工藝廠家概述：

蒸發工藝是將固體材料置于高真空環境中加熱，使之升華或蒸發并淀積在特定的襯底上，以獲得薄膜的工藝方法。真空蒸發工藝在微電子技術中主要用于制作有源元件、器件的接觸及其金屬互連、高精度低溫度系數的薄膜電阻器，以及薄膜電容器的絕緣介質和電極等。

膜技術和蒸發結合工藝廠家原理：

真空蒸發所得到的薄膜，一般都是多晶膜或無定形膜，經歷成核和成膜兩個過程。蒸發的原子（或分子）碰撞到基片時，或是*附著在基片上，或是吸附后再蒸發而離開基片，其中有一部分直接從基片表面反射回去。粘附在基片表面的原子（或分子）由于熱運動可沿表面移動，如碰上其他原子便積聚成團。這種團zui易于發生在基片表面應力高的地方，或在晶體襯底的解理階梯上，因為這使吸附原子的自由能zui小。這就是成核過程。進一步的原子（分子）淀積使上述島狀的團（晶核）不斷擴大，直至展延成連續的薄膜。因此，真空蒸發多晶薄膜的結構和性質，與蒸發速度、襯底溫度有密切關系。一般說來，襯底溫度越低，蒸發速率越高，膜的晶粒越細越致密。

方法：

蒸發主要有電子束蒸發、多源蒸發、瞬時蒸發、激光蒸發和反應蒸發等方法。①電子束蒸發:在5～10千伏/厘米電場下使電子束加速，并通過電子透鏡使電子束聚焦，使坩堝中蒸發材料的溫度升高到蒸發溫度而蒸發。蒸發材料的熔融只限于表面的局部區域，使坩堝保持較低溫度，而且電子束可以通過磁場轉彎，從而把陰極雜質蒸發擋住。這種蒸發方法不僅可以達到較高的溫度（約3000），而且污染很少。電子束加熱按聚焦方式分為:直槍式、E槍式和環形槍式。直槍式具有較高的功率密度，適合于蒸發高熔點材料（如氧化鋁、氧化鋯、鉭、鉬等）。E槍式具有功率容量大 (約10千瓦)的特點，適于導熱性好的材料如鋁、金的蒸發，并可獲得高達1微米/分的蒸發速度,而且發射電子的燈絲不受蒸發材料的沾污。環形槍式雖然結構簡單，但不具備上述特點，使用較少。這幾種加熱方式僅適用于單元素材料的蒸發。