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高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號HTGB-C16

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式:陳經(jīng)理查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2024-03-21 15:35:31瀏覽次數(shù):534次

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產(chǎn)品簡介

品牌: HUSTEC
名稱: HTGB高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)
型號: GKH-HTGB-C16
HTRB/HTGBJ測試介紹高溫反偏試驗(yàn)(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會失效,以此評估產(chǎn)品的可靠性。

詳細(xì)介紹



產(chǎn)品詳情


★主要技術(shù)規(guī)格和性能:

產(chǎn)品型號GKH-HTGB-C16

產(chǎn)品名稱高溫柵偏試驗(yàn)系統(tǒng)

高溫試驗(yàn)箱PH-201高溫試驗(yàn)箱一臺,

試驗(yàn)區(qū)域16個(gè) 

試驗(yàn)容量每通道80工位,共16通道。

試驗(yàn)電源選配TDK的Z+系列電源或安捷倫試驗(yàn)電源。

電源數(shù)量:配置4臺/8臺電源。

輸出范圍:0~35V或0~60V。

主要功能① 正常HTGB試驗(yàn),通過按鈕可以選擇正柵壓或負(fù)柵壓,兩種偏壓工作時(shí)只能二選一,不能同時(shí)工作。

② 熱阻測量,即測量HTGB工作時(shí)的Tj值。

③ 高溫試驗(yàn)箱內(nèi)可放置4層板或8層板。具體需根據(jù)器件的封裝尺寸定義。當(dāng)被測量模塊體積過大時(shí),由于體積的限制,被測器件數(shù)據(jù)需相應(yīng)減少。

④ 可選配溫度可達(dá)300℃的高溫試驗(yàn)箱。

測控功能① 檢測每個(gè)材料的電壓、漏電流值。

② 漏電流超限保護(hù),自動切斷測量回路。

③ 測量電流范圍:1nA~100uA;

④ 電流分辨率:0.5nA;

⑤ 測量精度:±2%±3nA;

防靜電設(shè)計(jì)① 設(shè)備外殼良好接地;

② 預(yù)留靜電接地端子(香蕉插頭插孔)方便操作員連接靜電環(huán)。

計(jì)算機(jī)工業(yè)級電腦主機(jī)、液晶顯示器、專用鍵盤及鼠標(biāo)。WINDOWS操作界面,友好的人機(jī)對話窗口, 強(qiáng)大的圖形編輯能力以及強(qiáng)大的器件庫供用戶選擇,軟件操作簡單易學(xué)。更有系統(tǒng)查詢診斷功能, 試驗(yàn)狀況一目了然,方便用戶隨時(shí)查驗(yàn)。

老化板可按客戶的器件封裝定制老化板。

電網(wǎng)要求單相AC220V±10%,47Hz~63Hz,6KW

外形尺寸W1360mmхH1820mmхD1320mm

重量約500kg 


HTRB/HTGBJ測試介紹


高溫反偏試驗(yàn)(High Temperature Reverse Bias Test,HTRB)是在高溫下加上反向偏壓的工作模式,由于高溫下漏電流增加,質(zhì)量差的器件就會失效,以此評估產(chǎn)品的可靠性。


測試溫度:125℃,150℃或175℃。


測試時(shí)間:168h,500h,1000h。


測試目的:研究器件在靜態(tài)工作模式下,以額定反向直流電壓下或者80%額定反向直流電壓進(jìn)行工作,以確定偏置條件和溫度隨時(shí)間對固態(tài)設(shè)備的影響。


參考測試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108


 


高溫柵偏試驗(yàn)(High Temperature Gate Bias, HTGB)主要是用于測定柵氧本身及相關(guān)界面的可靠性。


測試溫度:150℃或175℃。


測試時(shí)間:500h,1000h。


參考測試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A108


HTBR和HTGB是可靠性測試中非常常見的測試項(xiàng)目。


適用測試器件:功率二極管, SiC肖特基和肖特基二極管,晶閘管,三端雙向可控硅和IGBT。


試驗(yàn)設(shè)備:高溫反偏試驗(yàn)機(jī)


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