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北京羲和陽光科技發展有限公司
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產品介紹
母合金
半導體拉晶的重要摻雜元素
產品特點
進口12N電子極原生多晶硅，配摻高純度硼粉（7N）級。目前廣泛應用在拉單晶上的為硅硼負三合金。
母合金摻雜計算方法
電阻率P的單晶，它的頭部對應的的雜質濃度為C頭，多晶硅原料的重量為W，的雜質濃度為C母，應摻重量為M
應摻重量為M =W*C頭/（K*C母—C頭），其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數。
參數
■ 硅單晶P型10的-3次方
■ 電阻率:0.007-0.009Ω/cm2
■ 雜質含量指標
硼含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
1.13*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18
■ 硅單晶P型10的-3次方
■ 電阻率:0.003-0.004Ω/cm2
■ 雜質含量指標
硼含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
3.04E+19 <5E+16 <1E+18
■ 硅單晶N型10的-3次方
■ 電阻率:0.002-0.005Ω/cm2
■ 雜質含量指標
磷含量（atom/cm3） 碳含量（atom/cm3） 氧含量（atom/cm3）
2.24*10-E19 <5*10-E16 <1.0*10-E18
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