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FLASH 接口通過 FLASH ICODE、DCODE、MCODE 總線對 FLASH 進行訪問，該接口可對 FLASH 執行編程、擦除和全擦除操作；通過緩存機制加速代碼執行。
FLASH 的重要特征？
FLASH 讀、編程、擦除和全擦除操作，支持引導交換，安全保護和數據加密。
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摘要
本篇應用筆記主要介紹如何使用 HC32F460 系列芯片的嵌入式 FLASH 讀寫數據。
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FLASH 簡介
什么是 FLASH？
FLASH 接口通過 FLASH ICODE、DCODE、MCODE 總線對 FLASH 進行訪問，該接口可對 FLASH 執行編程、擦除和全擦除操作；通過緩存機制加速代碼執行。
FLASH 的重要特征？
FLASH 讀、編程、擦除和全擦除操作，支持引導交換，安全保護和數據加密。
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HC32F460 系列的 FLASH
3.1
簡介
FLASH 接口通過 FLASH ICODE、DCODE、MCODE 總線對 FLASH 進行訪問，該接口可對FLASH 執行編程、擦除和全擦除操作；通過指令預取和緩存機制加速代碼執行。
3.2
說明
FLASH 讀、編程、扇區擦除和全擦除操作。CODE 總線 16Bytes 預取值，I_CODE 和 D-CODE 總線上共享 64 個緩存（128bit 寬）。支持 FLASH 低功耗讀。支持引導交換。支持安全保護及數據加密。容量為 512Kbytes（其中有 32bytes 為功能保留位），分為 64 個扇區，每個扇區為 8KBytes。編程單位為 4Bytes，擦除單位為8KBytes。128bit 寬數據讀取。OTP（One Time Program）區域共 1020Bytes，分為 960Bytes 數據區，并配有 60Bytes 的鎖存區。
3.2.1 寄存器介紹
1)
EFM_FAPRT：訪問 EFM 寄存器保護寄存器。
2)
EFM_FSTP：FLASH 停止寄存器。
3)
EFM_FRMC：讀模式寄存器。可配置插入等待周期，緩存功能、預取指功能等。
4)
EFM_FWMC：擦寫模式寄存器。配置編程擦除模式。
5)
EFM_FSR：狀態寄存器。查看 FLASH 狀態，結束標志、錯誤標志等。
6)
EFM_FSCLR：狀態清除寄存器。
7)
EFM_FITE：中斷許可寄存器。配置操作結束或錯誤中斷許可。
8)
EFM_FSWP：引導交換狀態寄存器。通過該寄存器可判斷程序復位后從扇區 0 還是扇區 1 啟動。
9) EFM_FPMTSW：FLASH 窗口保護起始地址寄存器。
10) EFM_FPMTEW：FLASH 窗口保護結束地址寄存器。
11) EFM_UQID1~3：Unique ID 寄存器。
3.2.2 工作流程介紹
3.2.2.1 寄存器解除保護和寫保護
本模塊的寄存器受 EFM_FAPRT 寄存器保護，當處于保護狀態，屏蔽普通的寫操作。
-
在實際應用中，發現寄存器值未寫入成功，應首先檢查 EFM 寄存器訪問保護是否有效，
保護有效時，EFM_FAPRT 寄存器值讀出為 0x00000000。
3.2.2.2 扇區擦除
EFM 提供扇區擦除和全擦除兩種擦除方式。對 FLASH 進行扇區擦除操作后，該扇區內地址（8Kbytes 空間）數據刷新為全 1。
3.2.2.3 全擦除
EFM 提供扇區擦除和全擦除兩種擦除方式。對 FLASH 進行全擦除操作后整個FLASH 區域素有地址數據刷新為全 1。
3.2.2.4 單次編程無回讀
單編程無回讀模式設定步驟如下：
3.2.2.5 單次編程回讀
單編程回讀模式是指編程結束后自動讀取編程地址并和寫入數據對比，輸出判斷一致標志位EFM_FSR.PGMISMTCH。
單編程回讀模式設定步驟如下：
注意：
- EFM_FSR.PGMISMTCH 為 0，表示編程成功，為 1 表示該 FLASH 地址已遭破壞，永廢棄。
3.2.2.6 連續編程
當連續對 FLASH 地址進行編程時，推薦使用連續編程模式。連續編程模式比單編程模式可以節約時間 50%以上。連續編程模式時，頻率不能低于 12MHz。
3.2.2.7 總線保持/釋放功能
通過設定寄存器 EFM_FWMC.BUSHLDCTL 位，可設定 FLASH 編程、擦除期間，總線處于保持還是釋放狀態。
FLASH 編程、擦除指令在 FLASH 上執行時，該控制位必須設定為 0。擦除指令在 FLASH 意外空間（例如 RAM）執行時，可根據需求自由設定。
當 EFM_FWMC.BUSHLDCTL 為 1（即 FLASH 編程、擦除期間，總線釋放狀態）時，在編程（連續編程除外）、擦除結束前（EFM_FSR.RDY=1）對 FLASH 的讀寫訪問將會被保護，標志位 EFM_FSR.BUSCOLERR 位置位。
3.2.3 一次性可編程字節（OTP）
OTP（One Time Program）區域分為 15 個 64 字節的數據塊，每塊數據對應一個 4Bytes 的鎖存地址。
鎖存地址用于鎖存對應的數據塊。鎖存地址數據全為 1 時，對應的 OTP 區域數據塊可以編程；當鎖存地址數據全為 0 時，對應的 OTP 區域數據不可編程。
所有 OTP 數據塊和鎖存地址均無法擦除。OTP 區域的編程已封裝在 flashloader 中，用戶可以直接操作 otp 對應地址。具體樣例請參考EFM 模塊下的 efm_otp 樣例代碼。
3.2.4 引導交換
EFM 提供引導交換功能，用戶在升級引導程序的時候，對扇區 0（0x00000000~0x00001FFF）進行擦寫，如擦寫時遇到不可期的意外（掉電、復位），有可能會導致整個芯片不能正常啟動。引導交換功能可以避免這種情況。
在對扇區 0 擦除前預先把新的引導程序寫入扇區 1（0x00002000~0x00003FFF），然后對 EFM地址 0x0007FFDC 進行編程數據 0xFFFF4321，通過端子復位，實現 CPU 從扇區 1 啟動新的引導程序，此時，再對扇區 0 進行擦除，重新編程用戶程序。再次升級啟動引導程序時，由于保存啟動扇區交換信息的地址 0x0007FFDC 已經被編程過了（用戶可以根據讀 FLASH 地址或者 EFM_FSWP 寄存器判斷是否使用過啟動交換功能，EFM_FSWP.FSWP = 0，表明扇區 0 和扇區 1 已經交換，復位后從扇區 1 啟動），需對扇區 63 （0x0007E000~0x0007FFFF）進行扇區擦除后再進行啟動程序的升級。在對扇區 0 進行擦除前，預先把新的引導程序寫入扇區 1，然后對扇區 63 進行擦除，通過端子復位，CPU 就從扇區 1 啟動新的引導程序，此時再對扇區 0 進行擦除，重新編程新的引導程序。
4
樣例代碼
4.1
代碼介紹
用戶可根據上述的工作流程編寫自己的代碼來學習驗證該模塊，也可以直接通過華大半導體的網站下載到設備驅動庫（Device Driver Library, DDL）的樣例代碼并使用其中的 FLASH 的樣例進行驗證。
4.2 代碼運行
用戶可以通過華大半導體的網站下載到 HC32F460 的 DDL 的樣例代碼（efm_simple），并配合評估用板（EV-HC32F460-LQFP100-050-V1.1）運行相關代碼學習使用 FLASH 模塊。以下部分主要介紹如何在評估板上運行 FLASH 樣例代碼并觀察結果：
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確認安裝正確的 IAR EWARM v7.7 工具（請從 IAR *網站下載相應的安裝包，并參考用戶手冊進行安裝）。
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從華大半導體網站下載 HC32F460 DDL 代碼。
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下載并運行 efm efm_simple中的工程文件.
