額定值/性能
■性能
| 型號 項目 | G6D-4B | |||||
| 繼電器輸出 | ||||||
| 接觸電阻 ＊1 | 100mΩ以下 | |||||
| 動作時間 ＊2 | 10ms以下 | |||||
| 復位時間 ＊2 | 10ms以下 | |||||
| 絕緣電阻 | 1000MΩ以上（DC 500V兆歐表） | |||||
| 耐壓 | 線圈和接點間 | AC2,000V 50/60Hz 1min | ||||
| 同極接點間 | AC 750V 50/60Hz 1min | |||||
| 耐沖擊電壓（線圈接點間） | 4,000V（1.2×50μs） | |||||
| 振動 | 耐久 | 10～55～10Hz單振幅0.75mm（雙振幅1.5mm） | ||||
| 誤動作 | 10～55～10Hz單振幅0.75mm（雙振幅1.5mm） | |||||
| 抗振 | 耐久 | 500m/s2 | ||||
| 誤動作 | 100m/s2 | |||||
| 耐久性 | 機械 | 2,000萬次以上 （開關頻率18,000次/h） | ||||
| 電力＊2 | AC250V 3A（阻性負載）10萬次以上 DC 30V 3A（阻性負載）10萬次以上 （開關頻率18,000次/h） | |||||
| 故障率P水準（參考值＊3） | DC5V、10mA | |||||
| 使用環(huán)境溫度 儲存溫度 | -25～＋55℃（不結冰、凝露） | |||||
| 使用環(huán)境濕度 | 45～85%RH | |||||
| 重量 | 約70g | |||||
＊1. 測量條件 ：DC5V 1A
＊2. 環(huán)境溫度條件：+23℃
＊3. 該數值為開關頻率120次/min時的數值。
■動作特性
| 型號 項目 | G3DZ-F4B |
| 功率MOS FET繼電器輸出 | |
| 動作時間 | 10ms以下 |
| 復位時間 | 15ms以下 |
| 輸出ON電阻 | 2.4Ω以下 |
| 開路時的漏電流 | 10μA（DC125V兆歐表） |
| 絕緣電阻 | 100MΩ以上（DC500V兆歐表） |
| 輸入輸出間耐壓 | AC2,000V 50/60Hz 1min |
| 振動 | 10～55～10Hz |
| 單振幅 | 0.75mm（雙振幅1.5mm） |
| 沖擊 | 500m/s2 |
| 使用環(huán)境溫度，儲存溫度 | -25～＋55℃（不結冰、凝露） |
| 使用環(huán)境濕度 | 45～85%RH |
| 重量 | 約65g |
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