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西尼特（北京）科技有限公司
免費會員產品簡介
產品介紹
產品用途
CNT高真空CVD系統是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的專用設備，廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域。
產品結構
高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動化控制系統、冷卻系統等組成。
1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;
2、生長腔體采用進口高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環境;
3、加熱腔體采用進口陶瓷纖維加熱器，均溫區200mm、對開式結構;
4、密封法蘭均采用不銹鋼材質，配水冷套，可連續長時間工作;
5、氣路系統采用三路質量流量計(可拓展多路),配預混系統;
6、真空系統采用分子泵機組;
7、控制系統采用10寸觸摸屏加西門子PLC模塊;
8、可選配RF射頻電源模塊;
9、氣體種類： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6
10、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關的實驗參數，自動保存實驗參數，也可采用手動控制.
11、系統采用集成化設計，控制系統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。
細節展示
技術參數
| 技術參數 | ||||||||||
| 參數名稱 | 單 位 | 型 號 | ||||||||
| GCVD2-10-12 | GCVD2-15-12 | GCVD2-200-12 | GCVD2-250-12 | GCVD2-300-12 | ||||||
| 額定功率 | KW | 6 | 8 | 10 | 14 | 18 | ||||
| 額定電壓 | V | 380 | ||||||||
| 工作溫度 | ℃ | 1100 | ||||||||
| 冷態真空度 | Pa | 6x10-4pa | ||||||||
| 加熱區長度 | mm | L=600mm | ||||||||
| 恒溫區長度 | mm | L=400mm | ||||||||
| 石英管尺寸 | 直徑 | Φ100 | Φ150 | Φ200 | Φ250 | 300 | ||||
| 長度 | L=1500(可根據實際需要非標訂做)，爐體不移動的為1200mm | |||||||||
| 沉底材料 | 銅箔、石墨等 | |||||||||
| 氣路系統 | 3路質量流量計（可拓展多路） | |||||||||
| 爐膛材料 | V | 進口陶瓷纖維 | ||||||||
| 加熱元件 | HRE | |||||||||
| 升溫速率 | ℃/min | ≤30℃/min | ||||||||
| 控溫精度 | ℃ | ±1℃ | ||||||||
| 爐體移動 | 移動距離約600mm（如有需要、需要提出） | |||||||||
| 外形尺寸 | 不配滑軌 | 1700×600×1450 | 2000×650×1500 | 1700×700×1550 | 1700×750×1600 | |||||
| 配滑軌 | 2000×600×1450 | 2000×650×1500 | 2000×700×1550 | 2000×750×1600 | ||||||
| 重 量 | 240kg | 270kg | 300kg | 360kg | 390kg | |||||
| 氣路系統 | 采用三路質量流量計、精確控制氣體的流量、(可擴展至多路) | |||||||||
| 生長腔體 | 采用進口高純石英管、配石英支架、方便氣體更好的流入 | |||||||||
| 真空系統 | 采用分子泵機組，真空度可達 6x10-4pa | |||||||||
| 加熱爐體 | 采用進口的陶瓷纖維，提供一個高溫環境。爐體配滑軌、可移動爐體 | |||||||||
| 控制系統 | 采用10寸觸摸屏或工控機自動控制，模塊采用西門子plc模塊，自動手動可隨意切換 | |||||||||
| RF射頻電源 | 選配 | RF射頻電源可降低石墨烯的生長溫度。射頻頻率：13.56MHz功率輸出范圍：5~500W | ||||||||
| 冷水系統 | 選配 | 采用閉環冷卻系統，冷卻系統循環壓力1.2-1.7(bar)，制冷量 4200K/car/hr，出口溫度可調（5-35℃）；冷凝器為翅片結構，水箱容積40L，制冷劑采用環保型。 | ||||||||
| 尾氣處理系統 | 選配 | 采用燃燒、噴淋水洗的辦法，有效去除PH3、GeH4、B2H6 等氣體產生的有毒有害氣體 | ||||||||
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