油田液壓閥中國臺灣YUTIEN電磁閥
碳的影響：碳在奧氏體不銹鋼中是強烈形成并穩定奧氏體且擴大奧氏體區的元素。碳形成奧氏體的能力約為鎳的30倍，碳是一種間隙元素，通過固溶強化可顯著提高奧氏體不銹鋼的強度。碳還可提高奧氏體不銹鋼在高濃氯化物(如42%MgCl2沸騰溶液)中的耐應力耐腐蝕的性能。
但是，在奧氏體不銹鋼中，碳常常被視為有害元素，這主要是由于在不銹鋼的耐蝕用途中的一些條件下(比如焊接或經450~850℃加熱)，碳可與鋼中的鉻形成高鉻的Cr23C6型碳化合物從而導致局部鉻的貧化，使鋼的耐蝕性特別是耐晶間腐蝕性能下降。因此。60年代以來新發展的鉻鎳奧氏體不銹鋼大都是碳含量小于0.03%或0.02%超低碳型的，可以知道隨著碳含量降低，鋼的晶間腐蝕敏感性降低，當碳含量低于0.02%才具有的效果，一些實驗還指出，碳還會增大鉻奧氏體不銹鋼的點腐蝕分傾向。由于碳的有害作用，不僅在奧氏體不銹鋼冶煉過程中應按要求控制盡量低的碳含量，而且在隨后的熱、冷加工和熱處理等過程中也在防止不銹鋼表面增碳，避免鉻的碳化物析出。
（1）如果工作在強大的磁場區域間，應盡量避免接觸或遠離磁場源，方法是建造防磁場輻射干擾的無磁場區域空間建筑。
（2）凡是經常接觸強磁場輻射源的，應當定期進行人體健康檢查，并形成短期的循環換班制度。
（3）無線電通訊設備不能長期攜帶在身體上，不用時則應當與人體保持一定的距離。
（4）盡量少用或不用無線電通話，以防電磁輻射給人體帶來不必要的影響。
（5）減少家用電器的使用，要勤動手，多活動。
（6）在欣賞音樂時，應當避免長時間頭戴耳機。
（7）不要濫用*設備，要遵醫囑。
（8）遠離無線電發射裝置以及強磁場的區域范圍。
（9）居民住宅應當避開高壓輸電網絡，低間距應當在300米以外。
（10）建設強大的電磁波發射場地應當遠離居民區，其間距不得低于5000米。
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DSW-02-3C7-DL-A220 DSW-02-3C8-DL-A220
DSW-02-3C10-DL-A220 DSW-02-3C12-DL-A220
DSW-02-3C2-DL-A110 DSW-02-3C3-DL-A110
DSW-02-3C4-DL-A110 DSW-02-3C5-DL-A110
DSW-02-3C40-DL-A110 DSW-02-3C60-DL-A110
DSW-02-3C6-DL-A110 DSW-02-3C9-DL-A110
DSW-02-3C7-DL-A110 DSW-02-3C8-DL-A110
DSW-02-3C10-DL-A110 DSW-02-3C12-DL-A110
DSW-02-3C2-DL-D24 DSW-02-3C3-DL-D24
DSW-02-3C4-DL-D24 DSW-02-3C5-DL-D24
DSW-02-3C40-DL-D24 DSW-02-3C60-DL-D24
DSW-02-3C6-DL-D24 DSW-02-3C9-DL-D24
DSW-02-3C7-DL-D24 DSW-02-3C8-DL-D24
DSW-02-3C10-DL-D24 DSW-02-3C12-DL-D24
DSW-02-3C2-LW-A220 DSW-02-3C3-LW-A220
DSW-02-3C4-LW-A220 DSW-02-3C5-LW-A220
DSW-02-3C40-LW-A220 DSW-02-3C60-LW-A220
DSW-02-3C6-LW-A220 DSW-02-3C9-LW-A220
DSW-02-3C7-LW-A220 DSW-02-3C8-LW-A220
DSW-02-3C10-LW-A220 DSW-02-3C12-LW-A220
GDFW-02-2B2-24V
GDFW-02-2B3-24V
GDFW-02-2B8-24V
GDFW-02-2B2B-24V
GDFW-02-2B3B-24V
GDFW-02-2B6B-24V
GDFW-02-3C2-24V
GDFW-02-3C4-24V
GDFW-02-3C6-24V
GDFW-02-3C7-D24V
GDFW-02-3C7-D220V
GDFW-02-3C9-D24V
GDFW-02-3C9-D220V
GDFW-02-3C10-D24V
GDFW-02-3C10-D220V
GDFW-02-3C11-D24V
GDFW-02-3C11-D220V
GDFW-02-3C12-D24V
GDFW-02-3C12-D220V
GDFW-02-3C25-D24V
GDFW-02-3C25-D220V
GDFW-02-3C29-D24V
GDFW-02-3C29-D220V
