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束倫(上海)技術服務有限公司
性能指標二次電子像分辨率高加速:0.8nm@15.0kV(GB)低加速:1.2nm@1.0kV(GB)極低加速:3.0nm@0.1kV(GB)分析:3.0nm@15kV,5nA,WD10mm
性能指標
主要應用
該電鏡及其附件主要用于各種材料的最細微納米結構的觀察,能夠在低電壓下為高磁性樣品成像和分析,GB和GBSH模式可減少非導電樣品上的電荷,減少對高分辨成像的鏡頭像差影響,得到不導電樣品的高分辨圖像。
樣品要求
儀器說明
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