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硅光電探測器

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更新時間：2024-02-20 08:28:38瀏覽次數：135次

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北京卓立漢光儀器有限公司

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產品簡介

硅光電探測器DSi系列硅光電探測器（Si）———室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm 兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：DSi200型內裝進口紫敏硅光電探測器DSi300型內裝國產低暗電流硅光電探測器推薦配合I-V放大器（型號：ZAMP）使用

詳細介紹

詳細內容

■ DSi200/DSi300硅光電探測器

硅光電探測器（Si）
———室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：
◆ DSi200型內裝進口紫敏硅光電探測器
◆ DSi300型內裝國產低暗電流硅光電探測器
◆ 推薦配合I-V放大器（型號：ZAMP）使用
兩種型號硅光電探測器的光譜響應度曲線圖：（右）

硅光電探測器使用建議：
◆ DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器ZAMP（Page85做為前級放大并轉換為電壓信號，標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103數據采集系統（Page95）使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA數據采集系統（Page95）使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。

型號列表及主要技術指標：

技術指標＼型號名稱	DSi200 紫敏硅探測器	DSi300 硅探測器
	進口紫外增強型	國產低暗電流型
有效接收面積（mm²）	100（Φ11.28）	100（10×10）
波長范圍（nm）	200-1100	300-1100
峰值波長（nm）	-------	800±20
峰值波長響應度（A/W）	0.52	>0.4
254nm的響應度（A/W）	0.14（>0.09）	-------
響應時間（μs）	5.9	-------
工作溫度范圍（℃）	-10～+60	-------
儲存溫度范圍（℃）	-20～+70	-------
分流電阻R_SH（MΩ）	10（>5）	-------
等效噪聲功率NEP （W/√Hz）	4.5×10^-13	-------
暗電流（25℃；-1V）	-------	1X10^-8—5×10^-11 A
結電容（pf）	4500	<3000（-10V）
信號輸出模式	電流	電流
輸出信號極性	正（P）	正（P）