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訂制環(huán)形硅探測器

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訂制環(huán)形硅探測器

詳細(xì)介紹

訂制環(huán)形硅探測器

訂制環(huán)形探測器參數(shù)：

光譜范圍300nm-1100nm
峰值響應(yīng)600nm-700nm

(1) 響應(yīng)度 K。。在λ=630nm、U=-1.5v、負(fù)載電阻

LR= 1KΩ 時，響應(yīng)度

K 大于 0.4mA/mW,且響應(yīng)度線性好，當(dāng)負(fù)偏壓超過 1.5V 后，響

應(yīng)度基本保持不變.

(2) 飽和電流。各探測單元的飽和電流需要求達(dá)到 mA 級，功

率要求達(dá)到 mW 級。

(3) 最小探測功率。最小探測功率要求小于 1nW。

(4) 光譜響應(yīng)范圍。。峰值響應(yīng)波長在 600∼ 700nm 之間。

(5) 均勻性。各探測單元的均勻性小于± 5%。

(6) 反向擊穿電壓。各探測單元的反向擊穿電壓大于>5V。

關(guān)鍵詞：探測器

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