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超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

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更新時間：2023-06-07 08:38:12瀏覽次數(shù)：207次

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產(chǎn)品簡介

新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。0.4 nm / 30 kV (SE)1.2 nm / 1 kV (SE)0.34 nm / 30 kV (STEM)用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

詳細介紹

概述

產(chǎn)品參數(shù)

專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的*半導體器件，高分辨成像所設計。

產(chǎn)品參數(shù)

新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

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