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三河建華高科有限責任公司
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該設備主要用于半導體光電器件、功率器件、傳感器、混合電路、微波器件及微電子機械系統（MEMS）等領域的雙面對準和曝光
該設備主要用于半導體光電器件、功率器件、傳感器、混合電路、微波器件及微電子機械系統（MEMS）等領域的雙面對準和曝光。
主要技術特點
對準工作臺
高精度薄型精密雙層三維對準工作臺，采用交叉滾柱V形導軌副和θ向超薄軸承及中心滑塊結構，保證了工作臺的直線性和旋轉精度。
機械手機構
機械手采用直線導軌和滾珠絲杠結構，具有高的定位精度和重復精度。
上版架系統
上掩模版的升降導軌選用THK可調分離型直線導軌，驅動采用高分辨率的數顯微分頭，從而保證兩掩模版的重復精度和定位精度。
對準觀察系統
雙光路結構的臥式分離視場顯微鏡，可以獲取高清晰的圖像同時兼容CCD成像顯示。
曝光系統
上、下兩套獨立的紫外光曝光系統，采用*的結構方案，具有較高的光強、均勻性、光學分辨率。
主要技術指標
| 性能名稱 | 技術指標 | ||
| 適用基片尺寸 | Max. φ6″（φ150mm） | ||
| 適用掩模版尺寸 | Max. 7″（175mm×175mm） | ||
| 上下掩模版對準行程 | X向 | ±4mm | |
| Y向 | ±4mm | ||
| θ向 | ±7.5° | ||
| 上下掩模對準精度 | ±3μm | ||
| 掩模版對基片對準行程 | X向 | ±4mm | |
| Y向 | ±4mm | ||
| θ向 | ±5° | ||
| 掩模對基片對準精度 | ±3μm（以單一面兩標記形位檢測） | ||
| 機械手Z向行程 | 5mm | ||
| 機械手與下掩模版分離距離 | 0～100μm | ||
| 顯微鏡 | 物鏡放大率 | 6.5× | |
| 目鏡放大率 | 10× | ||
| 總放大倍數 | 65× | ||
| 物鏡分離距離 | 90～140mm | ||
| 曝光光源 | 365nm，500W進口汞燈 | ||
| 光強 | ≥20mW/cm2 | ||
| 曝光面積 | φ160mm | ||
| 曝光分辨率 | 6um（正膠、膠膜膜厚不大于1um） | ||
| 曝光不均勻性 | ±5% | ||
| 曝光時間 | 0～999s | ||
| 外型尺寸 | 1178mm×1136mm×1752mm | ||
| 重量 | 560Kg | ||
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