通用參數
可測量參數:
光束質量（M2）
光束束腰位置
光束束腰直徑
發散角
瑞利范圍
束腰不對稱性
像散
產品參數
| | M2Beam | M2Beam U3 |
| 技術參數 | 硅探測器、InGaAs探測器和增強型InGaAs的多刀刃掃描 | 帶CMOS 2.4MP和內置濾波輪的USB 3 |
| 光譜范圍（nm) | 350-1100適用于Si版本 800-1800用于InGaAs版本 190-1100用于紫外增強型 800–2700用于InGaAs增強型 | 220–1350nm，內置特殊CMOS技術 |
| 入射光功率范圍 | 100µW–1W（為Si版本提供內部濾波器） 100µW–5 mW，適用于InGaAs和UV版本 HP版本z高4 kW | 10µW–100 mW，帶內置濾光輪 HP版本z高4 kW |
| 刀片數量 | 7 | - |
| 光束尺寸 | 直徑達25mm，帶透鏡（硅和紫外版本） |
| 束腰到透鏡距離 | 2.0至2.5米z佳 Min. 2.0米 |
精度：
M²值和一般參數精度：±5%
掃描組件配件
| 材料 | 鋁 |
| 透鏡焦距 | 300mm(at 632.6nm) |
| 透鏡直徑 | 25mm |
| 掃描數 | 140 |
| Min. 步進 | 100um |
| 掃描長度 | 280mm |
物理參數
| 重量 | 2.5Kg |
| 尺寸 | 100*173*415 mm |
| 接口 | M6 or ¼” screws |
| 機械調節 | 水平角度：±1.5° 垂直角度：±1.5° |
| 電纜長度 | 2.5m |
訂購信息：
M2Beam-Si：可測量波長范圍，硅350-1100nm
M2Beam-UV：可測量波長范圍，硅190-1100nm
M2Beam-IR：可測量波長范圍，銦鎵砷800-1800nm
M2Beam-U3：基于350-1550nm CMOS的測量裝置*
*超過1350 nm請咨詢
SAM3-HP-M：用于高功率光束的光束采樣器
實驗測試
1，操作步驟：
（1）M2 Beam On U3 M2分析儀兩個USB接口連接電腦，打開軟件
（2）安裝激光器，光纖輸出接口接到準直器上。同時準直器離M2透鏡*hao有1米以上的距離，打開激光器
（3）對齊光束（可以用熱感應卡或激光顯示卡來輔助對光），在軟件上觀察激光光束非常接近X&Y十字線目標圖像窗口
（4）在軟件界面上打開M2圖標，同時設定Z軸位置:選擇“Setup”,接下來設置“Start Position”為0mm, “Stop Position”為280mm,“Step”為2mm
（5）右下角Control界面一般Gain選擇5-10左右，調整一下曝光，Filter Wheel界面一般選擇ND500（測試時主要根據光束調整這三項參數）
（6）點擊Start圖標，開始測試
（7）測試完成后，點擊homing圖標，電機返回原位置。
2，測試結果
（1）1064nm皮秒脈沖激光器測試結果
（2）633nm TLD 窄線寬激光器測試結果
(3) 852nm DFB激光器測試結果
