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GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體頻域≤41THz 非線性系數(shù)54pm/V

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產(chǎn)品型號(hào)THZ-GASE-5-5-0.35

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廠商性質(zhì)其他

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更新時(shí)間：2024-06-07 10:46:46瀏覽次數(shù)：78次

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筱曉光子GaSe硒化鎵晶體THZ太赫茲晶體總覽GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz

詳細(xì)介紹

筱曉光子 GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體

總覽

GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對(duì)GaSe晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。

晶體類型

窗片

晶體規(guī)格

5 x 5 x 0.35mm

技術(shù)參數(shù)

GaSe晶體的透過率曲線

實(shí)驗(yàn)室光路系統(tǒng)

EOS測(cè)量及反演結(jié)果

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高