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筱曉（上海）光子技術有限公司
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InGaAs蓋革模式雪崩光電二管（內置TEC制冷型）總覽InGaAs雪崩光電二管（APD）是短波近紅外單光子檢測的用器件，可滿足量子通信、弱光探測等域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9~1.7m波長的單光子探測
InGaAs 雪崩光電二管（APD）是短波近紅外單 光子檢測的用器件，可滿足量子通信、弱光探測等 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
線性模式參數
| 產品型號 | IGA-APD-GM104-TEC | |||||
| 參數 | 符號 | 單位 | 測試條件 | 小 | 典型 | 大 |
| 反向擊穿電壓 | VBR | V | 22℃±3℃ ，ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
| 響應度 | Re | A/W | 22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1 | 0.8 | 0.85 | |
| 暗電流 | ID | nA | 22℃±3℃，M =10 | 0.1 | 0.3 | |
| 電容 | C | pF | 22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz | 0.25 | ||
| 擊穿電壓溫度系數 | η | V/K | -40℃ ~80℃，ID =10μA | 0.15 | ||
蓋革模式參數
| 參數 | 單位 | 測試條件 | 小 | 典型 | 大 |
| 單光子探測效率 PDE | % | -45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布單光子源 | 20 | ||
| 暗計數率 DCR |
kHz | -45℃，1ns門寬，2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% |
20* | ||
| 后脈沖概率 APP | -45℃，1ns門寬，2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20% | 1× 10-3 | |||
| 時間抖動Tj | ps | -45℃，1ns 門寬，2MHz門控重頻，PDE=20% | 100 |
* 可提供不同等規格產品
室溫IV曲線
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
溫度系數
電容電壓
更新時間：2023/5/24 17:35:26
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