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筱曉(上海)光子技術有限公司
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筱曉光子無掩膜數字光刻機MCML-120A總覽產品特點采用數字微鏡(DMD)的無掩膜掃描式光刻機,365nm波長直接從數字圖形生成光刻圖案,免去制作掩模板的中間過程,支持直接讀取GDSII和BMP文件全自動化的對焦和套刻,易于使用晶圓連續運動配合DMD動態曝光,無拼接問題
產品特點
采用數字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機,365nm波長
直接從數字圖形生成光刻圖案,免去制作掩模板的中間過程,支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動化的對焦和套刻,易于使用
晶圓連續運動配合DMD動態曝光,無拼接問題。全幅面定位精度0.1um
套刻精度: 0.2um
500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm大幅面(4~6寸晶圓),滿幅面曝光時間5~30分鐘
500um小線寬
可灰度曝光(128階)
尺寸小巧,可配合用循環裝置產生內部潔凈空間
應用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學元件,衍射光器件制作
教學、科研
參數
MCML-110A | MCML-120A | |
Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
Max. frame 大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
Max exposure 大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
Alignment accuracy 對準精度 | <200nm | <100nm |
field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
Z level accuracy Z精度 | <1 um | <1 um |
Environment 環境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
(SU8-2002, 2um膠厚,2寸硅基底)
產品特點
采用數字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機,365nm波長
直接從數字圖形生成光刻圖案,免去制作掩模板的中間過程,支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動化的對焦和套刻,易于使用
晶圓連續運動配合DMD動態曝光,無拼接問題。全幅面定位精度0.1um
套刻精度: 0.2um
500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm大幅面(4~6寸晶圓),滿幅面曝光時間5~30分鐘
500um小線寬
可灰度曝光(128階)
尺寸小巧,可配合用循環裝置產生內部潔凈空間
應用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學元件,衍射光器件制作
教學、科研
參數
MCML-110A | MCML-120A | |
Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
Max. frame 大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
Max exposure 大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
Alignment accuracy 對準精度 | <200nm | <100nm |
field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
Z level accuracy Z精度 | <1 um | <1 um |
Environment 環境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
(SU8-2002, 2um膠厚,2寸硅基底)
更新時間:2023/5/24 17:35:26
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