型號：Ｍ+-E150
主要用途：
主要用途：
用于IC生產及元器件生產中晶片的濕法刻蝕、清洗工藝。其作用是去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石、塑料等附件器皿的污染物。廣泛用于拋光片、擴散前、CMP后、氧化前及光刻后等關鍵工藝的清洗
型號：Ｍ+-E150
半導體，作為現代科技領域的核心基石，已然融入了我們生活的方方面面。從日常使用的智能手機、筆記本電腦，到汽車的智能駕駛系統，乃至醫療設備中的精密儀器，半導體芯片都在其中發揮著 “大腦" 般的關鍵作用，掌控著數據處理、信號傳輸等核心功能，驅動著這些設備高效運行。而在半導體產業背后，有一群鮮為人知的 “幕后英雄"—— 半導體設備。半導體設備如同精密的 “工匠"，是半導體制造流程得以實現的根基所在。它們涵蓋了從晶圓制造、光刻、刻蝕、薄膜沉積，到封裝測試等一系列復雜且精細的環節，每一道工序都需要高度專業化、高精度的設備來執行。這些設備相互協作，如同一場精細的交響樂演奏，任何一個環節的微小偏差，都可能導致芯片性能的大幅下降甚至失效。因此，半導體設備不僅是產業的硬件支撐，更是技術突破與產業升級的關鍵驅動力，其發展水平直接制約著半導體產業的興衰成敗。
刻蝕機：芯片成型的雕刻刀
如果說光刻機是繪制藍圖的畫師，那么刻蝕機則是芯片成型過程中的雕刻大師，它揮舞著化學與物理的 “雕刻刀"，將晶圓上不需要的材料精準去除，讓芯片的電路結構從藍圖變為現實。
刻蝕機的工作基于兩種主要工藝：干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕如同一場微觀層面的 “離子風暴"，它利用等離子體中的高能離子，在電場的驅使下，像無數把微小卻鋒利的刻刀，以方向性和精準度撞擊晶圓表面，將不需要的材料逐層剝離，塑造出精細的溝槽、孔洞等電路結構。這種方式在處理微小尺寸、高精度要求的圖案時優勢盡顯，能夠實現近乎垂直的側壁刻蝕，有效避免對相鄰區域的不必要損傷，為構建復雜的多層電路架構提供了可能。
與之相對的濕法刻蝕，則像是一場柔和卻精準的 “化學浴"。它借助特定的化學溶液，利用溶液與晶圓材料之間的化學反應，將不需要的部分緩慢溶解、沖刷掉。濕法刻蝕其成本低廉、操作相對簡單，對于一些對精度要求不那么苛刻、追求大規模快速處理的環節，依然有著不可替代的作用，能在保障基本電路成型的同時，大幅降低生產成本，提高生產效率。
在微觀視角下，刻蝕過程猶如一場微觀世界的奇妙 “雕刻秀"。當晶圓進入刻蝕機內部，無論是等離子體的激烈沖擊，還是化學溶液的溫柔 “侵蝕"，都在以納米級的精度改變著晶圓表面的微觀地貌，逐漸雕琢出芯片所需的復雜電路輪廓。從設備整體來看，刻蝕機外觀通常呈現出簡潔而實用的工業設計風格，龐大的主機箱內，隱藏著精密的等離子體發生裝置、溶液循環與噴射系統，以及高精度的晶圓夾持與定位機構，它們協同運作，確保每一次刻蝕都精準無誤，為芯片賦予生命與靈魂。
濕法刻蝕是利用化學溶液和晶圓表面的材料發生化學反應生成氣體、液體或者可溶于化學溶液的物質。去除需要刻蝕的部分，達到刻蝕的目的。濕法刻蝕主要包括三個基本過程，分別是濕法刻蝕、沖洗、甩烘干。濕法刻蝕清洗機按清洗的結構可分為槽式批量清洗和單片清洗機兩種類型，而槽式清洗可分為半自動清洗和全自動清洗兩種機臺。
槽體可分為酸堿刻蝕槽、溢流清洗槽、快速排水槽和使晶圓快速干燥的干燥槽等，另外根據濕法工藝要求的不同，還可增加加熱或制冷、超聲、拋動、鼓泡、旋轉、循環等功能。加熱是通過加熱棒對反應液體進行快速加熱，以達到工藝所需溫度，提升濕法刻蝕速率；鼓泡是通過在反應液體中吹氣，形成氣泡，是液體與晶圓表面充分接觸提高工作效率；拋動和旋轉是通過機械臂使晶圓上下拋動，并旋轉晶圓，使其和反應液體充分均勻接觸，提高刻蝕速率均勻性。
濕法刻蝕是一種純粹的 化學反應過程。優點：1.應用范圍廣，適用于幾乎所有材料；2.選擇比大，易于光刻膠的掩蔽和刻蝕終點的控制；3.操作簡單，成本低，適宜于大批量加工。缺點：1.為各向同性腐蝕，容易出現鉆蝕；2.由于液體存在表面張力，不適宜于腐蝕極細的線條；3.化學反應時往往伴隨放熱與放氣導致腐蝕不均勻。
常見的腐蝕液有氧化硅腐蝕液、硅腐蝕液、氮化硅腐蝕液、鋁腐蝕液等。
硅性質穩定，常溫下不與強酸反應，因此腐蝕硅就需酸上加酸。濃硝酸加氫氟酸，發生氧化，硅氧化成二氧化硅，再被氫氟酸溶解去除。溶液中額外加一些醋酸(乙酸)，可防止硝酸氧化分解。氫氟酸、硝酸、醋酸三酸混合(氫氟酸Hydrofluoric acid、硝酸Nitric acid、醋酸Aetic acid,簡稱HNA)。
氫氟酸刻蝕速率是480um/min，溶解一張硅片需兩分鐘。三酸的配比不同作用不同，加大硝酸的比例，有助于表面充分氧化再被腐蝕，硅片表面更加光滑。而增大氫氟酸的比例，刻蝕速度更快，硅片表面就更加粗糙。
溫度和攪拌影響刻蝕的速率。常常也會運用物理手段，比如增加超聲波裝置，產生機械波，來搖晃刻蝕溶液，液體在不間斷的高頻振動中持續壓縮和釋放，產生大量微小的空泡，這就是空穴現象(Cavitation)。生活中船舶螺旋槳也是利用空穴現象，槳葉在船下高速旋轉時，生成大量泡泡，因為泡泡的生成和破裂伴隨能量的釋放也會因泡泡攻擊而磨損。
在芯片制程中，控制好超聲波的振幅和頻率，可利用直徑合適的空泡在刻蝕中帶走硅片表面的雜質。在用刻蝕液來清洗比較精密的芯片時，可以把高頻超聲波換成振幅更小的兆頻(Megasonic)來減弱空穴的共振效應，避免損傷微小的器件結構。這里的清洗能洗掉硅片表面雜質，顯現表面缺陷(defect) 。
若硅和光刻膠的選擇比是10 ： 1，那么每刻掉10um深的硅，就會損失1um厚的光刻膠。選擇比越高，刻蝕就越省心，比如在后端的金屬刻蝕中，選擇比盡量高，只腐蝕金屬，而不會過渡刻蝕到下層。不會影響已經做好的硅或氧化物結構。
濕法刻蝕是沒有方向的，或者說朝各個方向均勻腐蝕。這叫做各向同性(Isotropic)。各向同性意味著只能挖坑甚至會發生鉆蝕，若挖穿本該被光刻膠保護的區域，會導致器件短路或者開路。
用于IC生產及元器件生產中晶片的濕法刻蝕、清洗工藝。其作用是去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石、塑料等附件器皿的污染物。廣泛用于拋光片、擴散前、CMP后、氧化前及光刻后等關鍵工藝的清洗
型號：Ｍ+-E150
主要用途：
用于IC生產及元器件生產中晶片的濕法刻蝕、清洗工藝。其作用是去除晶片表面的有機物、顆粒、金屬雜質、自然氧化層及石、塑料等附件器皿的污染物。廣泛用于拋光片、擴散前、CMP后、氧化前及光刻后等關鍵工藝的清洗
