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深圳市華科智源科技有限公司
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產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地深圳市
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更新時間：2024-06-28 08:15:35瀏覽次數(shù)：140次
聯(lián)系我時，請告知來自 智能制造網(wǎng)華科智源MOS管測試儀/設(shè)備，測試二極管 、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計，封裝測試，軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
華科智源HUSTEC-1600A-MT MOS管測試儀/設(shè)備可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；
MOS管測試儀/設(shè)備測試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/p>
整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用
1) 物理規(guī)格
設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；
質(zhì)量：30kg
2) 環(huán)境要求
海拔高度：海拔不超過 1000m；
儲存環(huán)境：-20℃～50℃；
工作環(huán)境：15℃～40℃。
相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；
大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。
防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；
3) 水電氣 用電要求：AC220V，±10%；
電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
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