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鄭州科探儀器設備有限公司
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三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD為臺式磁控濺射鍍膜機在較短時間內即可形成具有細粒度的均勻薄膜。儀器結構緊湊，全自動控制。利用直流磁控濺射和射頻磁控濺射技術，進行某傳感器基底Al2O3薄膜絕緣層的制備工藝及性能研究，對于指導薄膜傳感器工藝設計及應用的快速發展，具有十分重要的理論意義及較好的工程應用價值。
O2流量為0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm時直流和射頻制備的薄膜均呈透明狀且表面均勻致密，常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶態。 在單因素試驗研究的基礎上設計正交試驗，繼續深入研究直流、射頻方法下，濺射靶功率、O2流量、工作氣壓的綜合變化對Al2O3薄膜濺射沉積速率的影響，并對正交試驗結果進行極差與方差分析。獲取了較優的直流、射頻薄膜制備工藝參數并進行薄膜的制備，對制備薄膜的沉積時間、薄膜表面粗糙度、薄膜的復合硬度進行檢測并對比分析，選定了優化后的直流濺射工藝參數并實施Al2O3薄膜的制備。通過對制備的薄膜進行掃描電鏡觀測和能譜檢測，驗證了所選工藝參數的合理性。對常溫下不銹鋼基底上制備的Al2O3薄膜進行退火處理，測試分析退火溫度對薄膜晶體結構影響，結果表明:與常溫制備薄膜相比，退火溫度800℃時出現γ-Al2O3晶體結構，奧氏體相消失，退火溫度1000℃時出現α-Al2O3晶體結構和金屬間化合物AlFe。 利用薄膜傳感器的結構要求與傳感器薄膜的性能要求探索了制備Al2O3絕緣膜的工藝方法，得出了濺射靶功率、O2流量、工作氣壓、負偏壓和本底真空度等因素對直流和射頻濺射沉積薄膜性能等的影響規律，改進并優化了Al2O3薄膜制備工藝，結合退火工藝得出了退火溫度對Al2O3薄膜晶體結構的影響規律。
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD
應用領域：
離子濺射儀在掃描電鏡中應用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導電樣品的荷電現象，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進行蒸碳，實現不導電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。
三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；
控制方式 | 7寸人機界面 手動 自動模式切換控制 |
濺射電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣品臺 | 可旋轉φ62 （可安裝φ50基底） |
樣品臺轉速 | 8轉/分鐘 |
樣品濺射源調節距離 | 40-105mm |
真空測量 | 皮拉尼真空計（已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
預留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口 |
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