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IGBT功率循環(huán)測(cè)試臺(tái)

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更新時(shí)間：2024-04-26 18:50:34瀏覽次數(shù)：147次

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詳細(xì)介紹

隨著IGBT在電力電子、新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子等領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用，IGBT的需求越來越大，因此IGBT器件可靠性問題就越發(fā)重要。由于IGBT器件的設(shè)計(jì)壽命一般在20年以上，所以需借助功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)來加速IGBT的老化進(jìn)程，以期在較短時(shí)間內(nèi)明確IGBT失效機(jī)理，并發(fā)現(xiàn)能反映IGBT老化衰退狀態(tài)的失效預(yù)兆特征量和建立壽命評(píng)估模型，以便用于后續(xù)狀態(tài)監(jiān)測(cè)、故障診斷和壽命預(yù)測(cè)等IGBT可靠性方面的研究。因此我公司研制了IGBT功率循環(huán)測(cè)試臺(tái)，該平臺(tái)可以開展IGBT功率循環(huán)測(cè)試項(xiàng)目。系統(tǒng)采用熱敏電流法測(cè)量計(jì)算大電流加熱后IGBT的結(jié)溫，采用水冷方式對(duì)IGBT進(jìn)行冷卻。在每次循環(huán)中，需要測(cè)量IGBT的熱敏電流，發(fā)射級(jí)和集電極之間電壓VCE，殼溫等參數(shù)。

關(guān)鍵詞：IGBT 加速老化試驗(yàn)

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