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鄭州科探儀器設備有限公司
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PECVD射頻模塊：PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109--1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學物質，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點。
PECVD射頻模塊：PECVD是借助于輝光放電等方法產生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109--1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態物質發生化學物質，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點，工藝流程簡單，與傳統CVD系統比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。
PECVD射頻模塊技術資料
型號 | KT--PE150S | KT-PE500Z |
信號頻率 | 13.56MH? ±0.005% | |
功率輸出范圍 | 0-150W | 0-500W |
功率穩定度 | ≤5W | |
反射功率 | 40W | |
射頻輸出接口 | 7/16 female 50 Ω | |
功率穩定度 | ≤5W | |
匹配方式 | 手動調節匹配 | 500W自動匹配 |
耦合方式 | 電感式耦合 | |
輝光壓力 | ≤30Pa | |
供電電壓 | AC220V±10% 50/60H? | |
整機效率 | ≥70% | |
冷卻方式 | 強制風冷 | |
支持爐管直徑 | Φ25mm--φ80mm | Φ25mm--150mmφ |
感應區 | 210mm | |
整機重量 | 48KG | |
整機尺寸:H×W×D(mm) | 600×600×1100 | |
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