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HG-302C /HG-106C /HG-166A 砷化鎵霍爾元件--日本旭化成（AKM/AKE）系

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產品型號HG302C

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更新時間：2017-07-04 23:26:13瀏覽次數：1536次

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產品簡介

asahi-kasei（旭化成）HG302C砷化鎵霍爾元件可替代東芝THS119料號。
砷化鎵GaAs霍爾元件
HG106C 4-pin SOT343
HG302C 4-pin SIP4
HG-166A 4-pin SOT343

詳細介紹

砷化鎵：（gallium arsenide）化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點 1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，并且不為非氧化性的酸侵蝕.

    砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中,兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有*的性能，但由于它在高溫下分解，故要生長理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。

    2010年5月，新一期英國《自然》雜志報告說，美國研究人員研發出一種可批量生產砷化鎵晶片的技術，克服了成本上的瓶頸，從而使砷化鎵這種感光性能比硅更優良的材料有望大規模用于半導體和太陽能相關產業。

　美國伊利諾伊大學等機構研究人員報告說，他們開發出的新技術可以生成由砷化鎵和砷化鋁交疊的多層晶體，然后利用化學物質使砷化鎵層分離出來，可同時生成多層砷化鎵晶片，大大降低了成本。這些砷化鎵晶片可以像“蓋章”那樣安裝到玻璃或塑料等材料表面，然后可使用已有技術進行蝕刻，根據需要制造半導體電路或太陽能電池板。不過，該技術目前還只能用于批量生產較小的砷化鎵晶片，如邊長500微米的太陽能電池單元。下一步研究將致力于利用新技術批量生產更大的砷化鎵晶片。

    砷化鎵（GaAs）霍爾器件是一種電磁轉換的磁敏器件，廣泛用于電子、汽車、測量等眾多領域，是半導體磁傳感器中zui成熟、產量zui大的產品。但國內尚無企業能生產該產品。隨著無刷電機、汽車電子、計算機、信息家電等產業的發展，對霍爾器件的需求大幅度增加。砷化鎵霍爾器件具有溫度特性優良、輸出電壓線性好、輸入阻抗高、低失調率、V0時漂小等優點。

砷化鎵被用來作為磁感應材料
溫度的恒流驅動系數是-0.06％/ °C
標準型
對稱型（輸入電阻和輸出電阻相等）

HG302C產品全新*，日本旭化成電子生產，*銷售以下產品:
單極開關型
EW450  3-lead SOT
EW550  3-pin SIP
EW460  3-lead SOT
EW560  3-pin SIP
雙極鎖存型
EW512  3-pin SIP
EW632  3-lead SOT
EW432  3-lead SOT
EW412  3-lead SOT
EW410  3-lead SOT
砷化鎵GaAs霍爾元件
HG106C  4-pin SOT343
HG302C  4-pin SIP4
HG-166A 4-pin SOT343
銻化銦InSb高靈敏度型霍爾元件
HW101A  4-pin SOT343 有E,F,G 3個檔位
HW108A  4-pin SOT343
HW108C  4-pin SOT343
HW300B  4-pin SIP
HW302B  4-pin SIP

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